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本发明公开了一种半导体晶体刻蚀设备,包括机体以及所述机体中的覆膜腔,所述覆膜腔左右壁上对称设有第一电动滑轨,所述第一电动滑轨上滑动设有覆膜板,所述覆膜板上端固定设有覆膜装置,所述覆膜装置能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面,设备设有导管,通过导管能够在晶体表面滴加少量的刻蚀液从而对晶体进行刻蚀处理,避免了过多的刻蚀液对晶体造成的损坏,并且无需后续对刻蚀液进行回收处理,减少了工作步骤提高了效率,同时装置中设有挡板,挡板能够在刻蚀液对晶体进行刻蚀时防止其向刻痕的两侧移动,避免了刻蚀液腐蚀刻痕的两侧,从
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793820 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111090009.2
(22)申请日 2021.09.16
(71)申请人 广州皓景数码科技有限公司
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