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具有分段延伸区的晶体管.pdfVIP

具有分段延伸区的晶体管.pdf

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    本发明涉及具有分段延伸区的晶体管，涉及场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。在衬底的沟道区上方形成栅极结构。在与该栅极结构的第一侧壁相邻的该衬底中定位第一源极/漏极区，在与该栅极结构的第二侧壁相邻的该衬底中定位第二源极/漏极区，以及在该衬底中定位延伸区。该延伸区包括分别与该第一源极/漏极区叠置的第一及第二区段。该延伸区的该第一与第二区段沿该栅极结构的纵轴隔开。在该延伸区的该第一与第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位该沟道区的部分。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809158 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110509973.8 H01L 29/78 (2006.01)

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