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本发明提供了一种多级NAND闪存存储器的优化方法、装置、设备及介质，涉及闪存存储器领域，包括：获取当前擦除次数值和每个存储胞元中的页数；根据页数，计算得到初始权重系数；根据初始权重系数和第一预设公式，计算得到验证电压值；根据当前擦除次数值与预设擦除次数基数值进行计算，得到判断值；当判断值等于预设标准值时，根据预设测试数据的电压信息，计算得到电压偏移量均值；对初始权重系数进行优化计算，得到优化权重系数；根据优化权重系数和第一预设公式，计算得到验证电压优化值。本方法一方面建立了验证电压与原始用户信息
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116386703 A
(43)申请公布日 2023.07.04
(21)申请号 202310247185.5
(22)申请日 2023.03.15
(71)申请人 西南交通大学
地址 610031
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