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本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构可包括基板、位于基板上方的鳍片结构、位于鳍片结构上方的栅极结构、形成于鳍片结构中并邻近于栅极结构的第一内间隔层、以及延伸穿过第一内间隔层的第二内间隔层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809075 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110474143.6 (22)申请日 2021.04.29 (30)优先权数据 16/990,86

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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