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一种半导体器件包括III‑N器件和场效应晶体管(FET)。III‑N器件包括III‑N材料结构的第一侧上的衬底，III‑N材料结构的与衬底相对的侧上的第一栅极、第一源极和第一漏极。FET包括第二半导体材料结构、第二栅极、第二源极和第二漏极，并且第二源极在第二半导体材料结构的与第二漏极相对的侧上。FET的第二漏极直接接触且电连接到III‑N器件的第一源极，且通孔穿过暴露出衬底的顶表面的部分的III‑N材料结构的部分形成，且第一栅极经由通孔电连接到衬底。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113826206 A
(43)申请公布日 2021.12.21
(21)申请号 202080036199.7 (74)专利代理机构 中原信达知识产权代理有限
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