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本发明公开了一种基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管，包括衬底，在所述衬底上形成交叉设置的块状薄膜和纳米带，所述纳米带与所述块状薄膜采用同一种二维材料，在所述纳米带与所述块状薄膜相交处形成由同一材质构成的同质结，在所述纳米带以及所述块状薄膜的两端形成金属电极。本发明通过等离子体刻蚀对二维材料的物理尺寸进行裁剪，利用同质结形成的肖特基结构建了块状二硫化钼薄膜作为栅极、二硫化钼纳米带作为载流子传输层的肖特基栅场效应晶体管，性能优越，操作简单，可控性强。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113823697 A
(43)申请公布日 2021.12.21
(21)申请号 202110883169.6
(22)申请日 2021.08.02
(71)申请人 湖南大学
地址 41
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