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2023-07-06 发布于四川
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一种阵列LED芯片及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种阵列LED芯片及其制备方法，所述LED包括高阻硅衬底、键合金属层、绝缘层、p接触反射镜金属及保护层、p型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n型GaN层，还包括柱状N金属、N电极、金属连接桥、P电极；金属连接桥一侧连接芯片的键合金属层，另一侧连接另一芯片的p接触反射镜金属及保护层，从而实现相邻芯片的串联。该阵列LED芯片及制备方法实现了嵌入式电极垂直结构LED芯片的串联，在拥有嵌入式电极结构芯片高电流扩展度的同时，可有效提升LED芯片的工作电压、电功率和光输出功率；另一方面串

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823720 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111001040.4 (22)申请日 2021.08.30 (71)申请人华南理工大学地址

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