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2023-07-06 发布于四川
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一种HEMT器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种HEMT器件及其制备方法，制备方法包括：制备衬底结构；在所述衬底结构上制备第一介质层；光刻所述第一介质层，然后刻蚀所述第一介质层以形成第一开口；在所述第一介质层和所述第一开口上制备第二介质层，同时在所述第一开口处形成第二开口，所述第二开口的下表面处于第一介质层的上表面之下；刻蚀掉所述第二开口处的所述第二介质层，以将所述第二开口转换为第三开口；在第三开口处制备栅电极。本发明通过采用材料沉积的方式对采用光刻得到的栅电极宽度即沟道长度进一步的缩小，并制作形成倒凸字型栅极，以及与栅极金属

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823557 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110898540.6 (22)申请日 2021.08.05 (71)申请人乂馆

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