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本发明涉及半导体器件外延工艺，涉及半导体集成电路制造技术，在形成有多个伪栅极结构的半导体衬底上，通过刻蚀工艺在伪栅极结构的两侧自对准形成凹槽；通过外延工艺在凹槽的内侧表面形成初始籽晶层，初始籽晶层位于凹槽底部的厚度较厚，而侧壁较薄；纵向刻蚀初始籽晶层，以将初始籽晶层的底部减薄，而形成籽晶层；通过外延工艺在籽晶层上形成主体层，主体层将凹槽填充；通过外延工艺在主体层上形成盖埋层，如此可在有效隔绝主体层与沟道在静态下载流子的导通，从而降低漏电流的基础上，最大可能地增加主体层厚度，从而增强沟道应力，提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113823561 A
(43)申请公布日
2021.12.21
(21)申请号 20201
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