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本申请提供一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底上形成有鳍部,所述鳍部包括鳍部第一部分;栅极结构,所述栅极结构横跨所述鳍部第一部分,且覆盖所述鳍部第一部分的顶部和侧壁,所述栅极结构两侧的鳍部第一部分中形成有凹槽,且所述凹槽底面的宽度小于所述鳍部的宽度。本申请提供的半导体结构及其形成方法通过增大外延层与沟道之间的平均距离,进而减少寄生电容和漏电流,提高器件的可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113823688 A
(43)申请公布日
2021.12.21
(21)申请号 20201
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