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2023-07-08 发布于四川
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本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低成本稀土磁体及制造方法。低成本稀土磁体由钕铁硼合金及涂覆在所述钕铁硼合金表面的扩散源薄膜制备而成，所述钕铁硼合金由钕铁硼合金原料、低熔点粉料和其他添加剂混合制备而成，所述混合低熔点粉料含有CeCu、CeAl和CeGa，所述扩散源具有式R1xR2yHzM1‑x‑y‑z所示的组成，其中R1是指Nd，Pr中的至少一种，R2为Ho、Gd中至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，本发明的有益之处是较

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871123 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111121731.8 (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人烟台东星磁性材料股份有限公司

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