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本发明提供一种在片电容测量系统和测量方法。其中。在片电容测量系统包括：电容测试设备；探针测试系统，包括探针座，对称分布在探针座两侧的第一组探针和第二组探针，以及设置在探针座上的第一组连接线和第二组连接线，第一组连接线与第一组探针连接，第二组连接线与第二组探针连接；标准电容、开路器和在片直通线，用于与电容测试设备和探针测试系统连接；通过电容测试设备、探针测试系统、标准电容、开路器和在片直通线测试待测在片电容的电容值。本发明提供的在片电容测量系统，可实现待测在片电容参数到标准电容的溯源，从而保证待测
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113866511 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110989553.4
(22)申请日 2021.08.26
(71)申请人 中国电子科技集团公司第十三研究
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