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本发明公开了一种基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底的上表面形成键合中间层，将β‑Ga2O3转印到键合中间层的上表面，对β‑Ga2O3层进行减薄，形成异质结衬底；在异质结衬底的上表面生长缓冲层；在缓冲层的上表面依次生长次势垒层、第一掺杂层、第一异质结层、量子阱层、第二异质结层、第二掺杂层以及主势垒层；在主势垒层的上表面两侧进行离子注入，形成源极欧姆接触区以及漏极欧姆接触区；形成源极、漏极；在主势垒层的上表面生长氧
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871477 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111007267.X
(22)申请日 2021.08.30
(71)申请人 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
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