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存储器结构.pdfVIP

存储器结构.pdf

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    本发明涉及一种存储器结构，所述存储器结构包括：衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于所述绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有凹槽；栅介质层，所述栅介质层至少覆盖所述凹槽内壁表面。上述存储器结构形成难度低，提高存储器结构的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871394 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111063721.3 (22)申请日 2018.09.19 (62)分案原申请数

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