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本发明涉及一种LED器件封装材料及其制备方法和应用,LED器件封装材料的制备方法包括如下步骤,S1.在蓝宝石的表面沉积二氧化硅膜;S2.在S1中二氧化硅膜的表面涂光刻胶,使光刻胶的表面形成阵列图案;S3.将S2中光刻胶上的阵列图案通过刻蚀转移到二氧化硅膜上,在二氧化硅膜上形成阵列结构;S4.去除S3中的光刻胶;S5.去除S4中阵列结构之外的二氧化硅膜,得到以蓝宝石为基底且蓝宝石的表面覆盖有二氧化硅阵列结构的LED器件封装材料;二氧化硅膜的厚度为10~30um;刻蚀时间为60~120s。相对于直接
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871524 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111006080.8
(22)申请日 2021.08.30
(71)申请人 广东工业大学
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