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一种半导体结构的制造方法、半导体结构及其应用.pdfVIP

一种半导体结构的制造方法、半导体结构及其应用.pdf

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    本发明提出一种半导体结构的制造方法、半导体结构及其应用，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成过渡金属层，且所述过渡金属层的材料为第IIA族元素；在所述过渡金属层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成第一半导体层；以及在所述第一半导体层上形成第二半导体层。通过本发明提供的一种半导体结构的制造方法，可改善衬底以与其上半导体层之间的晶格缺陷。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871334 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111134359.4 (51)Int.Cl.

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