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本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种以激光辅助刻蚀绝缘层介质制作深硅刻蚀的方法及应用，用HF酸、丙酮、无水乙醇依次对Si片进行清洗，去除表面自然氧化的氧化层以及其他的无机物；在待刻蚀的Si基板上，通过化学气相沉积工艺沉积一层绝缘层介质作为硬掩膜；将沉积完绝缘层介质的Si片表面进行高温氧化处理；利用激光刻蚀工艺在Si片表面刻出图形；将刻完图形的Si片进行标准的BOSCH干法刻蚀工艺，直到刻穿。本发明采用具有与Si高刻蚀选择比的绝缘层介质作为硬掩膜，相比于常规的光刻胶掩膜，具有更好的通孔形貌和质
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116403898 A
(43)申请公布日 2023.07.07
(21)申请号 202310376595.X H01L 21/3065 (2006.01)
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