《先进陶瓷材料及进展》高介电容器瓷资料课件.ppt

第七章 高介电容器瓷§7.1 概述§7.2 电容器瓷的介电特性§7.3 高频电容器瓷的主要原料§7.4 中高压陶瓷电容器瓷 1、对电容器瓷的一般要求：①、介电系数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容器，ε↑→电容器体积↓→整机体积、重量↓②、介质损耗小，tgδ=（1~6）×10-7，保证回路的高Q值。高介电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。③、对I类瓷，介电系数的温度系数α 要系列化。对IIε类瓷，则用ε随温度的变化率表示（非线性）。I类瓷II类瓷 ④、体积电阻率ρ 高（ρ 1012Ω·cm）vv为保证高温时能有效工作，要求ρ 高⑤、v抗电强度E 要高pa、小型化，使Ε=V/d↑b、陶瓷材料