集成电路CMOS试题库.docx

一、选择题 Moore 在 1965 年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。 （B） MOS 管的小信号输出电阻是由 MOS 管的效应产生的。 （C） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 在 CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让 MOS 管工作在区。 （D） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 管一旦出现现象，此时的 MOS 管将进入饱和区。 （A） A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 表征了 MOS 器件的灵敏度。 （C） r o g mb g m u c n ox Cascode 放大器中两个相同的 NMOS 管具有不相同的。 （B） r o g mb g m u c n ox 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。 （C） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入 MOS 不匹配 D.电路制造中的误差 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。 （ C ） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 负载 Casocde 差分放大器 镜像电流源一般要求相同的。 （ D ） A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度 W D.器件长度 L NMOS 管的导电沟道中依靠导电。 （ ） A.电 子 B. 空 穴 C. 正 电荷 D.负电荷 下列结构中密勒效应最大的是。 （A） 共 源 级 放 大 器 B. 源 级 跟 随器 C. 共 栅 级 放 大 器 D. 共 源 共 栅 级 放 大 器 在 NMOS 中，若V sb  ? 0 会使阈值电。 （A） A. 增 大 B. 不 变 C. 减小 D.可大可小 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。 （C） A. 增 益 B. 输 出 电 阻 C. 输 出 摆幅 D.输入电阻 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。 （A） A. 增 益 B. 电 压 净 空 C. 输 出 摆幅 D.输入偏置 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该 电路的等效输入电阻为。 （） 第 15 题 1 ? 1 1 ? 1 A A. 1 ? A B. R(1 ? A) . R(1 ? 1 A) 不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。 （C） 电阻负载 B. 二极管连接负 载 C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负 载 模拟集成电路设计中的最后一步是。 （B） 电 路 设 计 B. 版 图 设计 C. 规 格 定 义 D. 电 路 结 构 选择 在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的 IC 在功耗方面具有最大的优 势。 （B） 管的导电沟道中依靠导电。 （B） B.电 子 B. 空 穴 C. 正 电荷 D.负电荷 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。 （D） 增 大 器 件 宽 长 比 B. 增 大 负 载 电阻 C. 降 低 输 入 信 号 直 流 电 平 D. 增 大 器 件 的 沟 道 长 度L 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是。 （D） 为 放 大 器 管 提 供 固 定 偏 置 B. 为 放 大 管 提 供 电 流 通路 C. 减 小 放 大 器 的 共 模 增 益 D. 提 高 放 大 器 的 增益 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗。 （D） A. 低 B. 一 般 C. 高 D.很高 MOS 管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义来表示电压转换电流的能力。 （A） A. 跨 导 B. 受 控 电 流 源 C. 跨阻 D.小信号增益 管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是。 （C） A. 电 导 B. 电 阻 C. 跨导 D.跨阻 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（ D） A. 不 断 提 高 B. 不 变 C. 可 大 可小 D.不断降低 26.工作在饱和区的 MOS 管，可以被看作是一个。 （B） A. 恒压源 B. 电压控制电流 源 C. 恒 流 源 D. 电 流 控 制 电 压 源 27.模拟集成电路设计中的第一步是。 （C） A. 电 路 设 计 B. 版 图 设 计 C. 规 格 定 义 D.电路结构选择 管中，如果 VB 变得更负，则耗尽层。 （C） A. 不 变 B. 变 得 更 窄 C. 变 得 更宽 D.几乎不变 模拟集成电路设计中的最后一步是。 （B） A. 电 路 设 计 B. 版 图 设 计 C. 规 格 定 义 D.电路结构选择 不能直接工作的共源极放大器是（ C ）共源极放大器。 A. 电 阻 负 载 B. 二 极 管 连 接 负 载 C.电流源负