单晶材料的制备课件.ppt

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2023-07-15 发布于四川
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第七章单晶材料的制备介绍晶体生长方法和技术、设备u气相生长u溶液生长u水热生长u熔盐法u熔体法 §7.1 气相生长法生长速率低气相法有一系列难以控制因素∴ 生长大块晶体，有局限性例如：Ⅱ—Ⅵ化合物、SiC大量用于外延薄膜的生长图7.1.1 蒸汽压—温度关系图一、气相生长的方法和原理1.生长方法（三类）1）升华法让固体在高温区升华，蒸气在温度梯度的作用下向低温区输运结晶的一种生长晶体的方法。即：在高温区蒸发原料，利用蒸气的扩散，让气体顺着温度梯度通过，晶体在冷端形成并生长的方法。固 ? 气 ? 固常压升华（P 1atm）：As、P、CdS等t减压升华（P ≤1atm): 雪花、ZnS、Cd

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