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2023-07-22 发布于四川
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一种半导体结构及一种半导体结构的制作方法.pdf

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及一种半导体结构的制作方法，其中，一种半导体结构包括：具有第一面的第一基底，第一基底具有凸出于第一面的电连接柱，电连接柱顶部具有第一凹槽；具有第二面的第二基底，第二基底内具有导电柱，且第二基底还具有第二凹槽，第二凹槽露出导电柱的顶面以及至少部分侧面；第二面与第一面相键合，且电连接柱部分位于第二凹槽内，导电柱部分位于第一凹槽内；焊接结构，至少部分焊接结构填充于第二凹槽，且至少部分焊接结构还填充于导电柱与第一凹槽之间。至少可以提高半导体结构的可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116469858 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202210033870.3 (22)申请日 2022.01.12 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23

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