JB_T 5631-1991半导体器件外延炉能耗分等.pdf

中华人民共和国机械行业标准JB/T 563191半导体器件外延炉能耗分等主题内容与适用范国本标准规定了半导体器件外延炉（以下简称外延炉）能耗分等。本标准适用于电子工业企业外延炉。外延炉能耗按可比单耗分为一等、二等、三等三个等级。达不到三等指标的属于等外。3外延炉能耗分等见表1。表1可比单耗指标kW·h/10*cm等二等三等≤100100~140140~170可比单耗按统计期内每千平方厘米合格外延片计算的平均单耗，称为可比单耗。按式（1）计算：(1 )H式中：一可比单耗，kWh/10*cm*，Wp.——统计期内某炉次耗电量，kW·h;C—耗氢气量折合耗电量系数，5.5kW.h/标m，WH/一统计期内该炉次耗氢气量，标m；K1—该炉次产品外延生长速率系数（见表2）；K，统计期内外延片平均厚度修正系数，K,—炉型系数（见表3）；统计期内合格外延片的总面积，10cm。表2外延生长0,2660.40,50.60.70.80.911.1速率系数0,2~~~~~~~~1 ,2μm/min0,30.40 ,50.60 ,70,80 ,9-1,11 ,2Ki10,840,860.880,900,920 ,949600,981,021,041,06机械电子工业部1991-09-13批准1992-07-01实施171 JB/T 5631-91表3卧式炉型系数立式，简式额定功率kW≤150150Ks1.01,00,84.1外延炉能耗包括直接用于工艺生产过程的耗电量和耗氢气量。折合耗电量不包括氮气耗量和通风等耗电量。5外延片平均厚度修正系数考虑外延片平均厚度对实际单耗的影哨的修正系数，称为外延片平均厚度修正系数。按式(2)计算：K, =1 + 0,02(10 ~ 8)....(2)式中：8一统计期内合格外延片的平均厚度，μm。5.18值按式（3）计算：8 =-≥F,8;ZF1(3 )式中，F,——某种合格外延片的面积，10°cm81某种合格外延片的厚度，μm。172 JB/T 5631-91半导体器件外延护能耗分等假年JB/T 563181全m4/10*cmt2/q·2月人准名标标标校月(）号月能耗等级计算装位量月安A件）$）器1号规机格型月计月名4号月3月台2月-±X型平均厚度外10*cml电wumL产173 JB/T 5631—91附加说明：本标准由机械电子工业部生产司提出。本标准由机械电子工业部机械标准化研究所归口。本标准由国营北京七七四厂负责起草。本标准起草人赵伟、郭瑞春。174