YS_T 1053-2015电子薄膜用高纯钴靶材.pdf

ICS 77.150.70YSH 62中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 1053—-2015电子薄膜用高纯钻靶材High-purity cobalt sputtering target used in electronic film2015-04-30发布2015-10-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 YS/T 1053—2015前言本标准按照 GB/T 1.1一2009 给出的规则起草。本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)提出并归口。本标准负责起草单位：宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司本标准主要起草人：王学泽、李勇军、郑文翔、罗俊锋、袁海军、熊晓东、陈勇军、刘丹、陆彤、袁洁、张涛。 YS/T 1053—2015AvePTF........(A.2)=A.6允许偏差测量得到的透磁率间的偏差应≤3%。9 中华人民共和国有色金属行业标准电子薄膜用高纯钻靶材YS/T 1053-2015中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号（100029)北京市西城区三里河北街16号（100045)网址 总编室：（010行中心：（010者服务部：（010国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销*开本 880×1230　1/16　印张 1　字数 22千字2016年1月第一版　2016年1月第一次印刷书号：155066·2-29171如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话：（010S/T 1053-2015 YS/T 1053--2015电子薄膜用高纯钻靶材1范围本标准规定了电子薄膜用高纯钻靶材（以下简称高纯钻靶)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯钻靶。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1804般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差GB/T 2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T6394金属平均晶粒度测定方法GB/T8651金属板材超声板波探伤方法GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法YS/T1011高纯钻化学分析方法杂质元素含量的测定辉光放电质谱法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。靶材 target溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在阳极表面沉积。4　要求4.1产品分类4.1.1高纯钻靶按纯度分为4N5（99.995%）、5N(99.999%）两个级别。4.1.2高纯钻靶按焊接方式分为针焊和非针焊。4.2　化学成分高纯钻靶化学成分及杂质元素要求应符合表1的规定。4.3晶粒尺寸高纯钻靶的晶粒尺寸应符合表2的规定。需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同)中注明。1 YS/T 1053—20154.4透磁率高纯钻靶的透磁率应符合表3的规定。需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同)中注明。4.5内部质最高纯钻靶的内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷。级别4N55NCo质量分数/%，不小于99.99599.999Ag11IV104.5sv5B0.10.1Ca52Cd1-Cl11Cr11Cu51Fe106K0.50.1Li0.1Mg52Mn11非气体杂质含量/×10-4%,不大于Mo1Na0.50.2IN406Pb1-qs-1Is10 4.5Sn10.5Th0.10.1Ti2n0.10.1V21W-10Zn5Zr12 YS/T 1053—2015表1 (续)级别4N55Nc10075H1010气体杂质含量/×10-4%，不大于N30200200155s1010杂质总含量/%,不大于(不包含C、H、N、O、S)0.0050.001注：高纯钻靶的 Co含量为100%减去表中杂质实测总和的余量(不含C、H、N、O、S)。表 2 高纯钻靶晶粒尺寸级别微观结构4N5(99.995%)晶粒平均值≤100μm，晶粒分布均匀5N(99.999%)1未完全再结晶，晶粒大小无要求表3高纯钻靶透磁率要求级别透磁率/%4N5(99.995%)≤705N(99.999%)30 ~ 604.6焊接质量焊接质量应符合表4的规定，需方如有特殊要求时，由供需双方商定。表4高纯钴靶焊接质量要求焊接方式焊接结合率单个未焊合间隙面积/总面积钎焊≥95%%非轩焊≥98%≤1%4.7