YS_T 1167-2016硅单晶腐蚀片.pdf

ICS 29.045H 82YS中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 1167—2016硅单晶腐蚀片Monocrystalline silicon etched wafers2016-07-11发布2017-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 中华人民共和国有色金属行硅单品腐蚀片YS/T中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100029)北京市西城区三里河北街16号（100045)总编室(010行中心，(010者服务部：(010国标准出版社泰皇岛印剧广印剧各地新华书店经销开本880×1230 1/16印张0,75字数18千字2018年9月第—版2018年9月第一次印别书号; 155066 2-44939定价25.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话：(010 YS/T 1167—2016YS/T1167—2016图A.7（111)酸腐蚀片（反射率大于90%）480×图A.8(111)酸腐蚀片（反射事大于90%）1200×A.2碱蚀片表面腐蚀晶胞的显微形貌碱腐蚀片表面腐蚀晶胞的显微形貌如图A9~图A.12所示（图A9和图A.10是在OLYMPUS3100共聚焦显微镜下观察，图A.11和图A.12是KEYENCEVK9700显微镜下观察和测试腐蚀晶胞大小）。该碱腐蚀片是经一定浓度的氧氧化钾腐蚀波在一定条件下腐蚀面成。图A.9(111)碱腐蚀片24×图A,10(111)碱腐蚀片120 ×图 A.11(111)碱腐蚀片10 ×图 A,12（111）碱腐蚀片晶胞最大边长测试示意图版权专有慢权必突书号,155066 · 2-44939YS/T价：25.00元 YS/T言本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草，本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)提出并归口。本标准起草单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、杭州海缩半导体有限公司，本标准主要起草人：由佰玲、张雪因、蒋建国、孙燕、王飞尧、沈浩平， YS/T 1167—2016硅单晶腐蚀片1范围本标准规定了硅单晶庾蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子媲变和气相掺杂制备的硅单晶研离片经化学离蚀液去除表面损伤层后制备的酸虞蚀片和碱离蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作品体管、整流管、特大功率品闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1555半导体单品晶向测定方法GB/T 2828.1计数抽样检验程序第1部分接接收质限（AQL)检索的逐批检验捕样计划GB/T 6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法非接鞋涡流法GB/T 6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 12962硅单品GB/T 12965硅单品切割片和研磨片GB/T 13387硅及其他电子材料品片参考面长度测量方法GB/T 13388硅片参考面结品学取向X射线测试方法GB/T 14140硅片直径测量方法GB/T 14264半导体材料术语GB/T 14844半导体材料牌号表示方法GB/T 20503铝及铝合金阳极氧化阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定20.45°.60°85°角度方向GB/T 26067硅片切口尺寸测试方法GB/T 29505硅片平坦表面的表面粗桂度测量方法GB/T 30453硅材料原生缺陷图谱YS/T 26硅片边缘轮哪检验方法YS/T 28硅片包装3术语和定义GB/T14264和GB/T30453界定的以及下列术语和定义适用于本文件1 YS/T 1167—20163.1表面光泽度surface glossiness在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与标准购瓷板样品在该镜面反射方向的反射光通量之比。光泽度值通常以数值表示，单位是Gs(光泽单位)。3.2表面反射率surface refleetivity在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与入射光光通量之比。其数值通常以百分数表示，3.3表面离蚀品胞su