SJ_T 11502-2015碳化硅单晶抛光片规范.pdf

ICS 29. 045H 83SJ备案号：50559-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11502—2015碳化硅单晶抛光片规范Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers2015－10－01实施2015- 04- 30 发布发布中华人民共和国工业和信息化部SJ SJ/T 11502—2015前-言本规范按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、河北同光晶体有限公司。本规范主要起草人：丁丽、郑红军、蔺娴、张玮、郝建民周智慧、吴华、何秀坤、冯亚彬、裴会川、李龙远。5:4-----. :1 SJ/T 11502—2015碳化硅单晶抛光片规范1范围本规范规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、牌号、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。本规范适用于晶型为6H和4H，单面或双面抛光，-直径100mm及以下的碳化硅单晶抛光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，注白期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用标准，箕必威体育精装版版本《包括所有的修改单）适用于本文件。艺GB/T6619/硅片弯曲度测试方法一GB/T6620°硅片翘曲度非接触式测试方法2GB/T6621硅抛光片表面平整度测试方法GB/T13387硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T13388－硅片参考面结晶学取向X射线测试方法福茶GB/T14264～半导体材料术语第GB/T30866碳化硅单晶片直径测试方法- -- .*37碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30867碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法GB/T 30868碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11499碳化硅单晶晶向的测试方法SJ/T 11500碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11501碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11503碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 115043术语和定义GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1微管micropipe微管是在碳化硅单晶中产生的一种中空的细管，其径向尺寸从纳米到微米量级，腐蚀后在显微镜下观察呈六边形，其对碳化硅器件具有严重的制约作用。3. 2微管密度micropipe density1 SJ/T 11502—-2015微管密度是指在碳化硅单晶抛光片单位面积内微管的个数，单位为个每平方厘米。3.3颗粒particle一种小的、分离的外来物质。4　牌号碳化硅单晶抛光片的牌号表示如图1所示。其中：-晶型：4表示4H晶型，6表示6H晶型。-晶向：0表示正晶向，3表示偏3.5°，4表示偏4°，8表示偏8°。导电类型：N表示N型导电，P表示P型导电，S表示半绝缘，T表示高纯半绝缘。-直径：2表示直径50.8mm，3表示直径为76.2mm，4表示直径100.0mm。微管密度等级：用I、II和IⅢI表示(见5.3)。表面抛光状态：A表示硅面单面抛光，开盒即用；B表示碳面单面抛光，开盒即用；C表示双面抛光，硅面开盒即用；D表示双面抛光，碳面开盒即用；E表示硅面单面化学机械抛光，开盒即用；F表示碳面单面化学机械抛光，开盒即用；G表示双面抛光，硅面化学机械抛光，开盒即用；H表示双面抛光，碳面化学机械抛光，开盒即用。Sic--w --二表面抛光状态微管密度等级直径导电类型晶向晶型碳化硅单晶抛光片图1碳化硅单晶抛光片的牌号示意图5要求5.1晶型5.1.1对于4H晶型的碳化硅单晶抛光片，4H晶型占直径50.8mm和76.2mm碳化硅单晶抛光片总面积的比例应不低于95%，4H晶型占直径100mm碳化硅单晶抛光片总面积的比例应不低于90%。其它尺寸规格的碳化硅单晶抛光片由供需双方协商决定。2 SJ/T 11502—20155.1.2对于6H晶型的碳化硅单晶抛光片，6H晶型占直径50.8mm碳化硅单晶抛光片总面积的比例应不低于95%，6H晶型占直径76.2mm碳化硅单晶抛光片总面积的比例应不低于90%。其它尺寸规格的碳化硅单晶抛光片由供需双方协商决定。5.2电阻率碳化硅单晶抛光片的电阻率应符合表1的要求。表1晶片的电学性能电阻率掺杂剂导电类型Q°cm0.01~0.2掺氮~N型≥105掺钒或高纯半绝缘5.3微管密度碳化硅单晶抛光片的微管密度应符合表2的要求。表2：微管密度i等级微管