SJT 10311-1992低压化学气相淀积设备通用技术条件.pdf

L 99SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10311---92低压化学气相淀积设备通用技术条件Generic specification of lowPressure Chemical vapor Deposition system1992-12-01实施1992-06-05发布中华人民共和国机械电子工业部发布 中华人民共和国电子行业标准低压化学气相淀积设备通用技术条件SJ/T 10311-92Generic Specification of lowPressure Chemicai vapor Deposition System1主题内容和适用范围1.1主题内容本标准规定了低压化学气相淀积(LPCVD)设备的技术术语及薄膜厚度(以下简称膜厚）均匀性的计算公式、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及包装、运输、贮存等方面的要求。1.2适用范围本标准适用于卧式热壁型低压化学气相淀积设备（以下简称LPCVD设备）的设计、制造及工艺应用。其它形式的LPCVD设备的研制亦应参照使用。2引用标准半导体器件生产用扩散炉测试方法SJ 2065SJ 142电子工业专用设备总技术要求电子测试仪器电气、机械结构基本要求SJ 946GB 191包装储运图示标志运输包装收发货标志GB 63883术语及公式3.1淀积温度淀积各种微电子固体薄膜时所需要的工艺温度。3.2系统极限真空度在规定的时间内LPCVD设备系统处于密闭状态下抽气所能达到的最低压强值。3.3淀积压强在淀积薄膜的工艺过程中，满足工艺要求的工作压强。3.4气密性表征系统密封性能优劣的程度。3.5膜厚均匀性表征淀积膜厚度不均匀程度的最大误差分布称为膜厚均匀性，通常用片内均匀性。片间1992-12-01实施中华人民共和国机械电子工业部1992-06-15发布1 SJ/T 10311--92均匀性和批间均匀性共同说明膜厚均匀性分布的情况。 0mm m × 100%=±9计算通用公式为：2 ×式中i误差百分比mx同组测试数据中的最大值Omin同组测试数据中的最小值同组测试数据的算术平均值=p:3.6温度梯度是指在温区长度范围内两个最外端测试点的温度差值。4产品分类按反应管数可分为单管或多管。LPCVD设备可用于完成一种或多种微电子固体薄膜的制备工艺。非卧式反应管结构型式的LPCVD设备同样按单室或多室分类。5技术要求5.1外观及-般要求5.1.1设备的外观及外形LPCVD设备的外观结构应符合下列原则：a．布局合理、美观大方、结构紧凑（积木式排列）、显示清晰；b.操作方便，易于维修；c，设备机柜内外表面及金属零件外表面的涂（镀）层不应有明显的凹痕、划伤、龟裂、起泡、露底、针孔、脱落和锈蚀等缺陷，表面平整色泽均匀；d．名牌粘接牢固，字迹和内容应清楚无误；e.紧固件连接牢固，无松动现象，开关、旋钮等的调整应方便，操作灵活可靠。5.1.2般要求LPCVD设备应符合本技术条件要求，并按规定程序批准的图纸和有关技术文件制造，并具有良好的工艺实用性和安全性。5.2主要技术指标及性能5.2.1晶片规格Φ50、75、100mm等5.2.2装片量≥50片/每批5.2.3温度范围300~1000℃5.2.4温区长度及精度≤±1℃/（400~800mm）注：在温区范围内，温度梯度0～30℃可调5.2.5温度稳定性≤±1℃/24h5.2.6系统极限真空度a．除气体管路以外的部分优于0.4pa/10min内b．整个系统（从泵口到气体源瓶减压器出口处）优于1.33pa/10min内2- SJ/T 10311-925.2.7淀积压强可控可调5.2.8工艺气体采用质量流量控制器（以下简称MFC)控制。（精度≤士2%FS响应时间≤10s）5.2.9工艺过程控制方式自动或手动5.2.10运动机械动作平稳，噪声小。5.3安全要求由于LPCVD工艺中使用易燃、易爆和有毒危险性气体，为了保证设备使用安全和人身安全，特提出以下要求：5.3.1LPCVD设备的整个工艺系统：真空排气装置、加热炉、净化工作台、气体管路等，以及配套的石英反应管、冷却水路、必要的连接机构、安全连锁及气源瓶柜等关键部件，都必须安全可靠的工作。整机要求和装配要求应符合SJ946第2条和第4条的要求。5.3.2在气路部分、气源瓶柜、真空排气部分等机柜上方要设有排风口，以便与用户厂房内的排风设施相连接。5.3.3设备应有良好的废气、废液排放措施。（参见附录A)对易燃、易爆、有毒等危险品应有相应的安全措施，凡室温下或者极易相互发生化学反应的气体源瓶不允许放在同一个气瓶柜内。5.3.4在设备的气密性和极限真空度达不到第5.2.6条中的所规定的技术要求时，绝不允许使用危险气体。5.3.5气路管道及管路部件要使用耐腐蚀不锈钢材料。5.3.6设备各机柜外壳及泵电机外壳都要可靠接