SJT 10041-1991半导体集成电路CMOS4000系列移位寄存器.pdf

SJ中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 10041--91电子元器件详细规范半导体集成电路CC4014型CMOS8位移位寄存器1991-04-08发布1991-07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布 中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 10041-91电子元器件详细规范半导体集成电路CC4014型CMOS8位移位寄存器Detail specification for electronic componentSemiconductor integrated circuit--CC4014 CMOS 8--bit shift register本规范规定了半导体集成电路CC4014型CMOS8位移位寄存器质量评定的全部内容。本规范是参照GB9424《CMOS数字集成电路4000系列电路空白详细规范》制订的，并符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》及GB12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》的要求。1991-07-01实施中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1 SJ/T 10041--91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的依据：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》SJ/T 10041-91GB12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路)》CC4014型8位移位存器详细规范订货资料：见本规范第7章。1机械说明2简要说明外形依据：GB7092《半导体集成电路外形尺CMOS型移位寄存器寸》。半导体材料：硅外形图：按GB7092封装：空封、非空封逻辑图、功能表见本规范第11章。D型5.3及5.3.1品种：J型5.4及5.4.1、环境温度型P型5.5及5.5.140~+85℃55~+125℃F型5.1.1号(E)(M)封装形式陶瓷直插(D)CC4014EDCC4019MD引出端排列：黑瓷直插(J)CC4014EJCC4014MJ塑料直插(P)CC4014EP101 V0D,G多层陶瓷扁平(F)CC4014EFCC4014MF国p.Q,2回,Q,回国D.D,国QD,E回PD,aDeD,ZDmvad注意：静电敏感器件3质量评定类别引出端符号名称见本规范第11.1条标志：按GB4589.1条第2.5条及本规范第6I,IA,IB,IC章。-2 SJ/T限值（绝对最大额定值）若无其他规定，适用于全工作温度范围。基准电压为V.。数值条款号参数符号单位最最大小4. 1电源电压VDD18V- 0. 54. 2输入电压Viv- 0. 5VDn + 0. 54. 3输入电流iI10mAM551254. 4工作环境温度范围TambcE-40854. 5贮存温度范围Tstg65150c4. 6每个封装的功耗1Pd500mw注：1）P型封装在60℃以上，D、J、F型封装在100C以上时，Pp按12mW/C线性降额。5推荐工作条件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。5.1推荐工作条件若无其他规定，适用于全工作温度范围。基准电压为V..数值VpD条款号参数符号单位(V)最小最大5.1.1电源电压范围Vop315V51805.1.2脉冲宽度10%twns1550535.1.3时钟频率10fep6MHz15/8. 5 515-上升trep时钟时间105.1.415 -μs下降tfep15153 SJ/T 1004191续表数值VpD单位符.号条款号参数(V)最小最立时间15 60aDs+CP5805010nstsu5.1.5D-→C-+CP8010601550保持时间100一nstt5.1.6Ds,D,M150一5.2电特性基准电压为Vs。范值规单VD符试验25 ℃85℃125℃-40℃条款号特性和条件-55℃kv号最小最大最小最大最小最大最大最小最大最小5150150555A3,电源电μAA3a,1010100105.2.1Vu=- Vss ViH= VDD15A3b60060020202010. 055J0. 05一J0. 050.050. 05-A3,输出低电平电压0. 050. 05j[A3a,0. 050.0510.05V10VoL5. 2. 2 | Vu - Vss , VrH VDDA3bI10|1μA150. 050.050. 05j0. 050.05-4.954. 9554. 954. 954.95A3,输出高电平电压9. 959.959.95V|A3a,10VoH9.959. 955. 2. 3Vu=Vss,VH=VDDA3bIIol1μA14.95114.9514.951514.9514.95输入低电平电压/1.51. 51.51. 51. 55A3,VoL= 0. 5V,V