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ICS 29.045H 82SJ备案号:52020-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T11552—2015以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers byinfrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle2015-10-10发布2016-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部
SJ/T115522015前言本标准按照GB/T1.12009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。何香博ND宾本标准主要起草人:INPORMATIONZ李MTECHNOLOGYLSRD
SJ/T11552—2015以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量1范围本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。本标准适用于测试室温下电阻率大于5Q-cm的硅单晶中间隙氧含量,特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从1×1016a至硅单晶中间隙氧的最大固溶度。SANINOINI2术语和定义JSTRY文件。下列术语和定NDUS2.1TECHNp型偏振照射ppolarndradiationB电矢量射平振辐射。2. 2背景光谱background spe光普仪中,无样品有在的情况下在红用单麗束测量获得的谱线(通常(气,空气等信息)。OLOLSI-2. 3参比方法Polerence method试样品含氧的红外透用测试样品和除参比样品光谱,消除硅晶格振动引起的吸收影响射光谱,要求无氧参比样品与测试样品厚度差小于±0.5%。S2. 4RD参比光谱referencospectrun参比样品的光谱。用双光束光谱仪测试时,可以托比样品放在样品光路测量,让参比光路空着,由参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比样品光谱,用单光束光谱仪测试时,直接用参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比样品光谱。2. 5样品光谱samplespectrum测试样品的光谱。用双光束光谱仪测试时,可以把测试样品放在样品光路测量,让参比光路空着,由测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱;用单光束光谱仪测试时,直接用测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱。2. 6表面粗糙度surfaceroughness1
SJ/T11552-—2015样品加工表面具有的较小问距和微小峰谷不平度。3方法原理利用傅立叶变换红外光谱仪测定单晶硅片中间隙氧含量,利用间隙氧浓度正比于1107cm(9.03μm)处红外吸收峰的吸收系数,通过乘以一个校正因子计算得出硅片的间隙氧含量。本测试方法采用P偏振光以布鲁斯特角入射,以尽量减少多次反射。4干扰因素4.1对于一般晶片,透过率T由公式(1)给出:T = (1-R)’e-ar - + + .....()式中:R反射率,%;吸收系数,cm;α光程长(x=dxcosQ),cm;xd试样厚度,cm;Or折射角。-要忽略多次反射,Re*应小于0.001。当入射角为布鲁斯特角(正常硅片为73.7°)时,就能消除多次反射的影响。但是,由于傅立叶变换红外光谱仪聚光束的大锥角,入射光往往不能全部以布鲁斯特角精确地入射。本标准通过调整样品的入射角,找到其最佳入射角度来消除薄双面抛光片存在的多次反射,具体方法见8.2。4.2透射光的光程长不能直接确定,但可以从非平行入射光束与中心光束夹角估算出来。4.3假设基线主要是由于表面散射引起的,可通过抛物线曲线粗略估计。4.4由于硅的晶格振动在氧吸收峰处有吸收,所以需要用无氧的参比样品来扣除该晶格吸收的影响。4.5氧和硅的晶格吸收随温度变化,在测量过程中样品室内的温度应维持在27℃土5℃。4.6测试样品双面或单面抛光,未抛光面不能太粗糙,以免对样品的透过率有影响,造成测试误差。5测试仪器5.1单光束傅立叶变换红外光谱仪能够采集分辨率从1cm到4cm之间的透射光谱。5.2偏振片使入射光为P型偏振光。5.3入射光通量中心角应调至与表面法线成65°到75°之间。5.4探测器要求保证通过样品的光束发生移动(横向距离等于0.88倍试样厚度)时,灵敏度也不会受到影响。2
SJ/T11552—20156环境条件6.1环境温度:27℃土5℃。6.2环境湿度:≤75
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