功率放大器在非导体接触式μLED器件光电特性研究中的应用.pdf

案例 11 功率放大器在非导体接触式μLED器件光电特性研究中的应用 实验名称：非导体接触式μLED器件的光电特性研究 研究方向：交流LED驱动、半导体器件 实验内容： 依据非导体接触式μLED模型，制备出相应的器件。其次是针对这种新型结构的μLED，研究 其在交流信号驱动下的频率-电压、电流-电压，发光强度等光电特性。 GaN基微发光二极管(μLEDs)在超高分辨率显示、微显示、可见光通信、固态照明等方面有突 出的优势。传统μLED工作机制是：施加正向电压时，空穴电子分别从p 区n区注入到多量子阱中 辐射复合发光。在正向偏压下，从外部电极注入连续的电子和空穴，导致连续的电子发光。 测试目的： 建立一种非导体接触式μLED模型并揭示其工作机理，为改善μLED器件结构、优化工作模式 提供理论指导。 测试设备： 非导体接触式μLED器件、信号发生器、功率放大器、光功率计、雪崩光电探测器、示波器 实验过程： 通过信号发生器产生不同频率的电压信号，输入到功率放大器进行放大输出，并将其施加在非 导体接触式μLED器件上，采用示波器检测其电学特性，光功率计、雪崩光电探测器测试其电致发 光特性。 测试结果： 1.在交流电场的驱动下，实现了在无外部电荷注入的情况下 “无线”点亮μLED。 2.提出了一种与载流子在交变电场作用下周期性振荡相关的NECNCI模式的工作模型，并通过采 用 “载流子泵”实现高光功率密度，进一步实验验证了该模型。 3.简要讨论了“电容器内器件”的自我保护机制，即该结构μLED器件可以在高压驱动下正常工 作，防止电击穿。