SJ_T 1826-2016半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范.pdf

ICS 31.080.30L42SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T1826——2016SJ/T1826—1981半导体分立器件3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specification for silicon NPN low power switching transistortype 3DK1002016-09-01实施2016-04-05发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 1826—2016前 言本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本规范代替SJ/T1826—1981。与SJ/T1826—1981相比，本规范主要技术变化如下：一本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。-原规范开关参数t（载流子贮存时间）和t（下降时间）在本规范中合并为tofr（关断时间），即toff=t+tfo请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司。本规范主要起草人：赵滨宋凤领吕瑞芹。本规范于1981年首次发布，本次为第一次修订。1 SJ/T創言本规范适用于3DK100型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》I类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。ANDMVRDSII SJ/T1826—2016半导体分立器件3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：SJ/T1826—2016分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范外形尺寸简略说明外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》开关用双极型晶体管中A3-01B型的规定。半导体材料：硅封装：金属封装（空腔）pa应用：各种电路中作开关及高频放大与振荡用。质量评定类别+ⅡI类45-@p0.5@参考数据（T=25℃）a.3中DPtot=100 mWIc=30 mAVcBO=20V（(3DK100A、B)VcBo=15V (3DK100C)VcEo=15V(3DK100A、B)pbiVcEO=10V (3DK100C)VEBO=4 VEEEF≥300MH1.发射极‘2.基极3.集电极hE:25~180单位为毫米尺寸数值符号最小标称最大4. 325. 33Ada2. 54b1. 01db0. 400. 51D5. 315. 84@D4. 534. 950. 921. 041. 16jK0. 511. 21L12.525. 0L1. 27 SJ/T1826—2016规范性引用文件4下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封GB/导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法开关用双极型晶体管空白详细规范GB/T6218—1996半导体分立器件外形尺寸GB/T 7581—1987GB/T12560—1999半导体器件ORMATIONINDUSTRY极限值（绝对最大额定值5这些极限值在整个工作温度范围内适用极限值见表1。定除翡极限值7司数值E单位符号章条号物值最大值865HNOLOG!℃温度工作环4. 1℃4. 2 贮存温1V最大集4. 33DK100AS3DK100B3DK100CV最大集电极一发射极流电压4. 4VCEC153DK100ARDS153DK100B103DK100C4V4. 5最大发射极-基极直流电压30mA4. 6最大直流集电极电流mWPeot1004. 9T=25℃，不加散热片时的最大额定功率℃Tiv1754. 10最高结温电特性6电特性见表2。检验要求见本规范的第9章。2 SJ/T1826—2016表 22电特性特性和条件数值章条号除非另有规定，Tm=25℃符号单位试验分组最小值最大值(见GB/T4589.1—2006的4.1)5. 1 正向电流传输比hreA2bVa=1 V, I=10 mA色标：