SJ_T 1486-2016半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范.pdf

ICS 31.080.30L42SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T1486—2016代替SJ/T1486-1979半导体分立器件3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范SemiconductordiscretedevicesDetail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low powerPNP silicon transistor2016-09-01实施2016-04-05发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/言本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替SJ/T1486—1979。与SJ/T1486—1979相比，本标准主要技术变化如下：-本标准依据GB/T4589.12006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。一本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。本标准增加了极限值参数VcBo（见本规范4.3），增加了电特性参数V(BR）CBo（见本规范A2b分组）和高温下的截止电流IcB02（见本规范5.8），IEBO（见本规范A2b分组，旧版见3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由VeB=-1.5V改为VEB=-2V，删掉了交流参数Kp和NF（见旧版3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表）请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位：济南市半导体元件实验所。本标准主要起草人：侯秀萍、卞岩。本标准于1979年首次发布，本次为第一次修订。I SJ/言本标准适用于3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管。本标准按照GB/T6217一1998《半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》I类和GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》的要求，INRORMATIONTANDMTECHNOLOGY5福SRDII SJ/T1486—2016半导体分立器件33CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件SJ/T1486—2016和集成电路总规范》GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范外形尺寸简略说明外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》高频放大环境额定的双极型晶体管中A3-02B型的要求。半导体材料：硅封装：金属封装（空腔）PD中a应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。质量评定类别3+0ⅡI类5@a.3@工程数据e0.8@Ptot=700mW（TA=25℃）Ic=100mA，hFE:25~270DVcBo=-120V~-240VVcEo=-100V~-220 VVEBO=-4 Vf≥50MHz(3CG180A～3CG180D)≥150MHz（3CG180E～3CG180H)pbDh月用发射极2.基极3.集电极1.单位为毫米尺寸数值符号最小标称最大A6. 106. 60da5. 08b1. 01一b0. 410.51OD8. 649. 39OD8. 018.500. 710. 790. 87jK1. 140. 74L12.525. 01.27L SJ/T1486—20164规范性引用文件下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本标准。GB/T4587一1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6217一1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范半导体分立器件外形尺寸GB/T7581—1987立器件分规GB/T12560—1999半导体器件AORMISTRY5极限值（绝对最大额定值MATION除非另有规定这些极限值在整个工作温度范围内适用极限值见表1。aNI极限值888E数值HO符号单位章号最大值最值888888888888888888T150℃4. 1环境温度℃4. 2贮存温度5极极0V4. 3..最大集电直流电压07203CG180AS003CG180