SJ_T 11658-2016表面安装高Q多层瓷介固定电容器规范.pdf

ICS31.060.20L11SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T116582016表面安装高Q多层瓷介固定电容器规范Detail specification for high Q multilayer ceramic dielectric capacitors of fixedsurfacemount2016-09-01实施2016-04-05发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11658—2016目次前言II范围12规范性引用文件3术语和定义型号规格4OFINDUSTRYA5优先额定值和特性6尺寸及结构图62质量评定程序8试验和测量程149包装、运输22附录A（规范电容FxC值和ESR的试验操作规范23D SJ/T11658—2016前言本规范按GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则编写。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本规范起草单位：广东风华高新科技股份有限公司、广州创天电子科技有限公司。本规范主要起草人：岑远清、陈梓贤、付振晓、祝忠勇、宋子峰、苏红娟、吴浩。II SJ/T11658—2016表面安装高Q多层瓷介固定电容器规范1范围本规范规定了表面安装高Q多层瓷介固定电容器（以下简称电容器）的术语和定义、型号规格、产品特性、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。本规范适用于微波频段（300MHz～20GHz）系列电容器，如集成射频模块、高频通信领域用低损耗射频电容器。其它射频电路用电容器可参照执行STNFORMATIANDSTRY2规范性引用文件文牟的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件下列文件对于本日期的版本适用于本文件。日件文伴其必威体育精装版版全包质凡是不注日期的引有的修改单）用于本文2008电GB/T 2421笔子产品环境试概述和指南I995阻容SGB/T 2471容器优先条5001电子用固定电容器idtIEC603841:1999)GB/T2691第1部分：总规苑检惠的逐批检验抽样计计娄油样金骆1部分：按接收质量限（AQL）GB/T2828.2012E划Y8法试1999环境试验‧第2音表面组牛的可焊性、金属IEC6006585和耐焊接热（EnviroomentalTestn58Td: Testfor solderability,化层耐溶蚀性C(SMD））resistance to dissolif@n f metallization and to soldering heat of surfacenountingdewices23术语和定义LGB/T2693—2001界定的以及下列术语和定义适用于本文件SIRD3.1ND品质因数（Q值）qualityvalue个重要性能指标，无量纲。Q值的数值等于电容品质因数（Q值）是表征瓷介电容器高频性能的器的电抗除以等效串联电阻。也可采用QXfXC的形式衡量瓷介电容器的高频性能。3. 2谐振频率resonancefrequency电容器在高频应用时，等效为电阻、电容、电感组成的等效串联电路，等效串联电路发生谐振时的频率为电容器的谐振频率。4型号规格4.1通则1 SJ/T11658—2016型号规格表示形式如下：CC41 0402 CG 100 J 250 NBHQ产品系列代码：HQ代表高Q电容器包装形式代码：T表示编带包装，B表示塑料袋散包装端头类型代码：N表示三层电镀Ag/Ni/Sn或Cu/Ni/Sn，Z表示银端头，C表示纯铜端头工作电压（额定电压）代码，单位为伏特（V)：250表示25V，500表示50V，101表示100V电容量允许偏差代码：见表2标称电容量代码，单位为皮法拉（pF）：前两位数字为有效数字，后一位数字为10的幂数，R表示小数点，101表示100pF，5R6表示5.6pF产品的温度系数代码：CG代表（0土30）×10/K，AG代表（100±30）×10%/K产品尺寸代码：见表7产品型号：CC41代表表面安装多层瓷介电容器示例：CC410402CG100J250NBHQ，表示0402规格、容量为10pF、电容量允许偏差为土5%、工作电压为25V、端头为三层电镀Ag/Ni/Sn或Cu/Ni/Sn的、塑料袋散包装表面安装高Q多层瓷介电容器。4.2标识4.2.1通则本规范规定的电容器应按GB/T2693一2001中2.4及下列细则进行标识。标识中给出的内容应从下列项目中选取。每项的相对重要性由它在项目顺序中的位置来表示：标称电容量；a)额定电压；b)标称电容量允许偏差；c)介质种类；d)e)制造年和月（或周）；f)制造厂名称或商标；气候类别；g)h)制造厂的代号名称；i)详细规范编号。4. 2. 2