SJ_T 1480-2016半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范.pdf

ICS 31.080.30L42SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T1480——2016代替SJ/T1480-1979半导体分立器件3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3CG130 high frequency low power PNP silicontransistor2016-09-01实施2016-04-05发布发布中华人民共和国工业和信息化部S1 SJ/T 1480—2016前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替SJ/T1480—1979。与SJ/T1480—1979相比，主要技术内容变化如下：一本标准依据GB/T4589.1-2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。一本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。原标准3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表中共基极输出电容测试条件5MHZ，本标准表2电特性5.15中共基极输出电容测试条件改为1MHz。-本标准增加了极限值参数VcBo（见4.3）和电特性参数高温下的截止电流IcB02（见5.8），IcB01（新版见5.7，旧版见3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由VcB=-10V改为VcB=VcBO，IcEO（新版见5.7，旧版见3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由VcE=-10V改为VcE=VcEO，IEBO（新版见A2b分组，旧版见3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由VEB=-1.5V改为VEB=-2V，删掉了交流参数Kp（见旧版3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位：济南市半导体元件实验所。本标准主要起草人：侯秀萍、卞岩。本标准于1979年首次发布，本次为第一次修订。 SJ/T1480—2016引言本标准适用于3CG130型硅PNP高频小功率晶体管。本标准按照GB/T6217一1998《半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的要求。INFORMATIONANDMTECHINOLOCYSVRDSV-II SJ/T1480—2016半导体分立器件33CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件SJ/T1480-2016和集成电路总规范》，GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范外形尺寸简略说明外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》高频放大环境额定的双极型晶体管中A3-02B型的要求。半导体材料：硅封装：金属封装（空腔）PD中a应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。质量评定类别tIⅡI类a.35@@工程数据0.35Ptor=700mW (TA=25 ℃)Ic=300 mAPDVcBo=-20 V~-80 VVcEO=-15 V~-75 VVEBO=-4 VhFE:25~270f≥80MHzCob≤10pFpbpbHEH1．发射极‘2.基极3.集电极单位为毫米尺寸数值符号标称最小最大6. 106. 60Ada5. 08-b1. 01b.0.510. 40ΦD8. 649.398.018.50ΦD0.870. 710. 797K0. 741. 14L12.525. 01. 27L SJ/T1480—20164规范性引用文件下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本标准。GB/导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6217一1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7581-1987半导体分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半导体器件ORMINDUSTRY5极限值（绝对最大额定值）MATION这些极限值在整个工作温度范围内适用极限