SJT 10557.3-1994电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法.pdf

L 90SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10557. 3-94电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法Method for measurement of average dislocation densityof aluminium foil for electroytic capacitor1994-08-08 发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部发布 中华人民共和国电子行业标准电解电容器用铝箔平均位错密度SJ/T 10557. 3--94测量方法Method for measurement of average dislocation densityof aluminium foil for electroytic capacitor1 主题内容与适用范围本标推规定了电解电容器用铝箔平均位错密度的测量方法。本方法适用于平均位错密度为0～9×10°个cm²的电解电容器用铝箔。2术语2.1 位错 dislocation晶体中部分原子受应力作用产生滑移，已滑移部分和未滑移部分的分界线为位错线，简称位错。2.2 位错蚀坑 dislocation etch pit在化学浸蚀作用下，在晶体表面位错露头处形成规则形状的腐蚀坑称为位错蚀坑。2.3 平均位错密度 average dislocation density本方法平均位错密度是指从16个测量点测得的单位面积内位错蚀坑个数的平均值（个/cm).3原理采用择优化学腐蚀技术显示位错。由于位错线使其周围出现晶格变形，形成管道状应力场，因此该处化学势不同于基体。在某些化学腐蚀剂中，位错在晶体表面露头处优先受到腐蚀，形成由低指数晶面构成的规则蚀坑。蚀坑形状取决于样品表面所属的晶面指数。4 试剂无水乙醇(CH3CH,OH);分析纯;a.b.高氯酸（HCLO）：优级纯；硝酸(HNO3):分析纯;C.d．盐酸(HCL):分析纯;t.氢氟酸（HF）：优级纯；f.去离子水(HzO):电阻率大于1MQ·cm。1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准 SJ/T 10557. 3—945样品制备5.1样品尺寸:10mm×15mm。5.2电解抛光5.2.1 电解抛光液:HCLO:CH,CH,OH=1 (4～9)(体积比)。5.2.2电解抛光条件：a.电解材料：不锈钢；b.电压15~20V;c.抛光温度：30℃。5.2.3抛光面尺寸，不小于10mm×15mm5.3位错腐蚀5.3.1 腐蚀液:HNO,HCL HF ：HzO一3 92：5(体积比);5. 3.2，腐蚀时间，3.5min左右。6 测试设备直流电源(25V，2A）b．扫描电子显微镜或金相显微镜。71位错蚀坑特征(100)面上表现为分立的正方形浅坑{见图1)。{110)面上表现为分立的矩形浅坑（见图2)。（111)面上表现为分立的三角形浅坑（见图3)。8位错蚀坑计数方法8.1测量点选择：测量点取16个，其位置如图4所示。若测量点处遇腐蚀穿孔，该点应稍作偏移。8.2在显微镜上观测时，放大倍数以各视场内位错蚀坑数目高于50个为宜。9平均位错密度计算平均位错密度按下式计算：EN,/ZAD 式中:D一一平均位错密度(个/cm);N一一测量点的位错蚀坑数目（个）A一一第i个测量点的视场面积(cm²)。10精度本方法测量精度为土2.5%。11 测量报告按下列格式填写测试报告。-2 SJ/T 10557.3—94年日月平均位错密度(个/cm)号样 编 品检测者:图2(110)位错蚀坑×435图1100)位错蚀坑 4 测量占位置示意图图3{111}位错蚀坑×435附加说明：本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草。本标准主要起草人：王利杰、齐芸馨。 5L/rs中华人民共和国电子行业标准电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法SJ/T 10557. 3--94*电子工业部标准化研究所出版河北省清河县印刷厂印刷电子工业部标准化研究所发行版权专用 不得翻印其开本：787×10921/16印张：3/16字数：4.5千字1995年5月第一版反1995年5月第一次印刷