SJ_T 9014.8.2-2018半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范.pdf

ICS 31.080. 30L 44 SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 9014.8.2—2018半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范Semiconductor devices - Discrete devicesPart 8-2: Blank detail specification for super junctionmetal-oxide-semiconductor field-effect transistors2018-04-30发布2018-07-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 美 SJ/T9014.8.2—2018前言本规范是《半导体器件》系列国家标准之一。下面列出与本规范有关的已出版的《半导体器件》系列标准：半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则（GB/T17573一1998）；-半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管（GB/T4586一1994）；半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范（GB/T6219-1998）：分文我码D集股电理限视苏半导体器件第10部分（GB/T4589.1—2006）;ORMATO半导体器件提件外规范（GB/T12560本规范按照GB/T2009给出的规则起草。桌容有可能涉及专利。本文件的发布机构不应请注意本文件O本规范由工慧化部电子工业标准化研究院归口。R科技发有限公司、上海宏力半导体制造有限公司、华润上本规范起西安龙Bs0SONIE华科技有限公-华微天水华天电子货兵。陈家周宏伟、本规范兰肖魁、王新、星1ORDSSAND 福 SJ/T9014.8.2—2018半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空自详细规范1 范围本规范规定了超结金属氧化物半导体场效应晶体管详细规范的编写要求和编写格式。本规范适用于采用超结原理设计生产的超结金属氧化物半导体场效应晶体管系列产品详细规范的编制。ORM2规范性引用文件TRYLAT应应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，日期的版本适用于本文件。下列文件对于，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件文件凡是不注日期的引用5006试验Cab：89888918898金第2部分：试恒定湿热试验GB/T2423电F试验Db文变第2部分：试GB/T2420081中腾51交显热（12h+12h循环)E囍法试验a和导贝2008电验第2部分：-稳态加速度GB/T248.15度变化国2012GB/T 24E试验第2部分代验方法试验237整封式验夫试验GB/T24环境试验 第2部分2013锡焊法试验卫2005子产品环境GB/T 24方法试验出端及整体安装件GB/强度9电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验宝则GB/05平导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二人极修GB/T40232010947率导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-吴体器件第10部分：分立器件和集成电路总舰范2006GB/T 4589.1-导体器件机械和气候试验方法第3部分外部自验GB/T4937.3—20128部分场数应晶体管第一篇1GHZ、5W以下的单半导体器件分立器件GB/场效应晶体管空白详细规范GB/导体分立器件外形尺寸GB/T125601999半导体器件分立器件分规范GB/T29332—2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）3空白详细规范首页的说明下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空栏中。详细规范的识别：[1]授权起草详细规范的行业标准机构名称。[2]详细规范号。1 SJ/T9014.8.2—2018[3]总规范号和分规范号以及年代号。[4]详细规范号、发布日期和标准体系要求的任何更多的资料。器件的识别：[5]器件型号。[6]】典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足若十应用，则应在详细规范中指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。如果器件对静电敏感或含有害物质，例如氧化铍，则应在详细规范中附加注意事项。[7]外形图和（或）引用有关的外形标准。[8] 质量评定类别。[9]能在各器件型号之间比较的最重要特性的参考数据。注1：在方括号内给出的内容供指导规范制定者使用，而不包括在详细规范内。注2：整个空白详细规范中，当特性或额定值适用时，×表示在详细规范中应填入的值。发布详细规范的标准[1] 详细规范号[2]机构名称详细规范号、发布日期和标准体系要求的任何更多的资评定电子器件质量的根据：[3] 料GB/T4589.1—2006[4]GB/T12560—1999[5] 详细规范：[有关器件的型号]订货资料