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ICS 31.200L56SJ备案号:中华人民共和国电子行业标准SJ/T11585—2016串行存储器接口要求Interface requirements for serial memory2016-01-15发布2016-06-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部
SJ/T11585—2016目次前言II1范围2规范性引用文件3术语和定义3. 1初始坏块initialbadblTAND INFOR3.2.RDUSTRY状态寄存器statusATION3.3.超错error4物理接口义4.1引出TECHNOL信号4.2数4. 3地4.44.5电压工时序参类交参诚说4. 6日上时序4. 7S4.8电源重记8O5结构85.1阵列结85. 2备用区95.3坏块缺陷95. 4次编程存105.5ECC校验码区域105.6ECC状态位定义和查询115. 7器件启动引导方式115.8块保护方式116指令定义11116.1指令集说明6.2指令集描述12236.3指令格式模式247串行快闪存储器接口(SFI)参数说明247.1SFI参数列表访问方法.257.2SFI头描述及参数定义30附录A(资料性附录)器件封装尺寸描述..33块保护(BP)方式说明.附录B(资料性附录)
SJ/T11585—2016前言本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位:北京兆易创新科技股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、清华大学微电子学研究所、深圳市中兴微电子技术有限公司、深圳市海思半导体有限公司。本标准主要起草人:苏志强、刘会娟、刘超、高硕、刘第、李锟、武鹏、刘培。II
SJ/T115852016串行存储器接口要求范围1本标准规定了串行与非型快闪存储器(SPINANDFlash)的物理接口、结构、指令定义、串行快闪存储器接口(SFI)参数说明等。本标准适用于串行与非型快闪存储器(以下简称器件)的设计、制造和使用。2规范性引用文件本章无条文。3术语和定义TECHNG和定义适用于下列术语件。一03.1初始坏块initial bad block国这止坏块在出厂指出厂寸的功能坏块,佳商在器件出厂标记,以便用户在LOGY出厂后使用时冶23. 2状态寄存器status registerL存储内部状态的寄存器SARD3.3ND超错error exceeded实际错误个数超过纠错码(ECC)可纠错能力称为超错。物理接口4引出端排列与定义6×8双侧无引脚扁平封装(DFN6X8)DFN6×8封装形式的引出端排列如图1所示,封装尺寸描述参见附录A中的A.1。
SJ/T11585—2016-VCCCS#8拉7[7SO/ST01[23HOLD#/SI037[WP#/S1023SCLKSI/SI00VSS54图1DFN6×8引出端排列图4.1.216引脚小外形封装(SOP16)SOP16封装形式的引出端排列如图2所示,封装尺寸描述参见附录A中的A.2。OHOLD#/SI0316SCLKVCCSI/SI0015NCNC1413NCNCNCNC12NC11NCCS#10VSSSO/SI01WP#/S102图2SOP16引出端排列图4.1.324球形触点阵列封装(BGA24)BGA24封装形式的引出端排列如图3所示,封装尺寸描述参见附录A中的A.3。OOOOOONCVCCWP#IIOLD#NCNC/SI02/S103OOOOOCNCVSSNCSI/SI00NCO2CNCSCLKCS#S0/SI01NONCOONCNCNCNCNCBAcDEF图3BGA24引出端排列图2
SJ/T1158520164.2信号描述器件引出端的信号描述见表1。表1引出端信号描述引出端输入/输出描述CS#输入片选信号输入,低电平有效SO/SI01输入/输出串行数据输出端/串行数据端1WP#/S102输入/输出写保护端口,低电平有效/串行数据端2VSS地地SI/SI00输入/输出串行数据输入端/串行数据端0ANDISCLK行前钟输入端HOLD#/S103输入输出保持功能敏低电平有效/串行数据端3ATVCCSK供电电源YON4.3数据接口4.3.1标准串口模式(stanaardSPi)IS接口,即串行输入时钟(SCLK)标准串模式配备四个片选信号(行数据输入(SI),不样输串行数据输支持CSO模式0模式3,即输入数据鑫时钟上升沿采出数据在时钟下降:HNO沿输出。此模式支持HOLD#保功能。功能和WP#车4.3.2双口传输模式(duatSPT,即串行输入时钟(SCLK),双口传输模数据传速#是标准百模式的两信配备四个的信号接口片选信号((S#串行数据输入或输出O(SI/SI00)串行数据输入或输出SOS
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