SJT 10051-19913DA2688型晶体管详细规范.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范3DA2688型硅NPN高频放大管壳SJ/T 10051--91额定的双极型晶体管Detail specification for electronic componentsCase rated bipolar transistorfor silicon NPN high-frequency amplification for type 3DA 2688本标准适用于3DA2688型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB7576《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的，符合GB4936.1《半导体分立器件总规范》I类的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施-1 SJ/T 10051—91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据：SJ/T10051-91GB 4936.1《半导体分立器件总规范》3DA2688型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管订货资料：见本规范第7章1机械说明外形符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中F3简略说明2-01A的要求4半导体材料：siAop封装：塑封（非空腔）应用：彩电色输出，视放输出。03质量评定类别D1类1pPR参考数据VPtot = 1. 25W(Ta 25℃C)BPiot = 10W (Te= 25C)le200mABtVcho≥300VVcEo≥300VVe≥5Vf↑≥50MHz0.25MQ代号F3--01A符R尺寸符minnommaxminnommax号号A2.32. 8L15.316.5B1. 01. 2Li2.54Bi0. 81.0$p3. 03. 2b0. 650.88$P5.0c0. 450.6Q3. 64. 4D10.511.1Q10. 91. 5E7.27.8R0.52. 29:引出端识别：1.发射极2.集电极3.基极 2 SJ/T 10051-914极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用数值条文号参数名称符号单位最小值最大值4.1工作管壳温度- 55150cTecase4.2贮存温度55cTstg1504. 3集电极——基极电压最大集电极—基极直流电压V300VcBO4.4集电极—发射极电压最大集电极发射极直流电压v300Vceo4. 5发射极—基极电压最大发射极—基极直流电压5VVerO4. 6激大直流集电极电流200IemA4.7耗散功率最高有效(等效)结温150rTi功率耗散的绝对极限值Ptotw1.25(Tamb=25C)10w(Tcase 25 C)5电特性数值特性和条件条文号符号单位试验类别除非另有规定，Tcase=25℃最小值最大值5.1共发射极正向电流传输比静态值hrEA2bVce = 10V lc= 10mA色标：绿(N)4080蓝(M)60120紫(L)100200灰(K)2501605. 3 特征频率ft50MHzC2bVcg = 30V;le =10mA, f = 10MHz5. 4截止电流A2b集电极一基极截止电流Ico(1)1 μAVcs300V集电极一发射极裁止电流5IceOHAVcg=300V发射极一基极截止电流IEBO0.1μAVes= 5V5. 5高温截止电流C2b集电极一基极截止电流Ico (2)5μAVca 200V ; Tcae -- 100 ℃5. 6集电极一发射极饱和电压Vce(sat)1.5VA33 SJ/T 10051-91续表数值特性和条件条文号符号单位试验类别除非另有规定,Tcae=25℃最小值最大值Ic = 50mA ;Ig = 5mA5. 9共基极输出电容C2aVcs = 30V;Ig = 0+ f = 1MHzCob3. 0pF5.11结一亮间的热阻c/wRth(-C)12.5C2d6标志6.1器件上的标志a.产品型号3DA2688;b.hre分档标志；C.质量评定类别标志I，放在型号标志后面；d.制造厂商标e.检验批的识别代号。6.2包装盒上的标志8.重复器件上的标志b.标上《怕湿》等注意标记。7定货资料定货单上应有下列内容.准确的型号;b.hre分档色标；c.本规范编号：d.其他。8试验条件和检验要求本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1、GB4937《半导体分立器件机械和气候试验方法》和GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》的条文号，测试方法引自GB4936.1的6.1.1。A SJ/T 10051—91A组-逐批全部试验都是非破坏性检验要求条件数值检验或试验引用标准除非另有规定单位IL AQLTeave= 25 C最小值最大值1 0.65A1分组外部目检GB4936.15.1.1A2a分组10.15不工作器件Icro(1