SJT 10424-1993半导体器件用钝化封装玻璃粉.pdf

SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10424--93半导体器件用钝化封装玻璃粉Glass powder for passivation packaging forues in semiconduoctor devices1993-12-17 发布1994-06-01实施中华人民共和国电子工业部发布 中华人民共和国电子行业标准半导体器件用钝化封装玻璃粉SJ/T 10424—93Glass powder for passivation foruse in semicoductos devices1 主题内容与适用范围1.1主题内容本标准规定了半导体器件用钝化封装玻璃粉的技术要求，检验方法，检验规则及包装、标志、运输、贮存。1.2 适用范围本标准适用于硅半导体二极管及高压硅堆等器件用钝化封装玻璃粉。2 引用标准GB 207水泥比表面积测定方法GB 619化学试剂采样及验收规则GB 5017耐火材料真密度试验方法GB 9000. 2电子玻璃中二氧化硅的分析GB 9000. 3电子玻璃中三氧代二硼的分析GB 9000. 5电子玻璃中氧化铅的分析(萃取分离-EDTA.络合滴定法）GB 9000.8电子玻璃中氧化铝和氧化锌的分析（EDTA络合滴定法）电子玻璃中氧化锂、氧化钠和氧化钾的原子吸收分析GB 9000. 10GB 9622. 2电子玻璃平均线热膨胀系数试方法3分类钝化封装玻璃粉分为中性粉、耐酸性粉及高压硅堆粉三个类别。4技术要求4.1钝化封装玻璃粉的外观为白色、淡黄色或淡紫色颗粒状粉末。应无肉眼可见杂质。4.2钝化封装玻璃粉所用原料均应使用符合AR级(含AR级)以上的试剂。4.3钝化封装玻璃粉的主要成分及对碱金属氧化物的要求应分剃符合表1和表2的规定。表1成分(wt%)PboZnOB,O;SiO,类别2~10中性粉20~304~1050~655~1040~5020~256~~10耐酸性粉7~123~855~ 6518~25高压硅堆粉中华人民共和国电子工业部1993-12-17批准1994-06-01实施 SJ/T 10424--93表 2磁金属氧化物(ppm）Na:0K.0LizO类别中性粉304010耐酸性粉30Λ4010高压硅堆粉3040104.4钝化封装玻璃粉的理化性能应符合表3的规定。表 3指标热膨胀系数一次折耐酸性密度转变点软化点粒度(玻璃态)晶温度（失重率，(g/cm*)(r)(c)类别(X10/C)(μm)(℃)%)(0~300℃)100%,50中性粉392±0.05527±10610±1042±2740±106≥50%,16100%,50耐酸性粉3.87±0.05533±10630±10Λ3745±1044±2≥50%,16100%,50高压硅堆粉3.88±0.05540±10620±10716±1045±26≥50%,165 检验方法5.1钝化封装玻璃粉的外观。用目视法。5.2化学成分的分析5.2.1氧化锌的分析按GB9000.8进行。5.2.2 三氧化二硼的分析按 GB 9000.3 进行。5.2.3二氧化硅的分析按GB9000.2进行。5.2.4氧化铅的分析按GB9000.5进行。5.2.5氧化钠、氧化钾、氧化锂的分析按GB9000.10进行。5.3理化性能的测试5.3.1密度的测试按GB5071进行。5.3.2转变点、软化点，一次析晶温度的测试方法5.3.2.1方法原理用差热分析法（也称D.T.A分析法）。其原理是根据钝化封装玻璃在加热过程中，由于相变而引起的热效应来确定其特性温度。5.3.2.2仪器及测试条件差热分析仪；2: SJ/T 10424-93参比试样：a-Al203被测试样：过360目待测玻粉；升温速率：10℃/min;试样氛围：静态空气。5.3.2.3测试步骤5.3.2.3.1测量前准备工作：接通冷却循环水;a.将待测钝化封装玻璃粉及参比试样三氧化二铝放入电炉中；b.接通电源；c.d.将记录笔调到起测位置；调出所需程序。e.5.3.2.3.2Tg平衡：测试样品称重。5.3.2.3.3加热，升温速率为10℃/min。得出D.T.A图谱，见图1。5.3.2.3.4测量完成后，停止加热，等电炉温度降到100℃以下时，关掉冷却循环水。5.3.2.3.5关机，断电。5.3.2.4测试结果特性温度在 D.T.A图谱中的确定。图 1为某牌号钝化玻璃粉 D.T.A 图谱示意图,转变点Tg与软化点T，由外推起始温度作图法确定。即分别在曲线A、B两拐点处两侧外推D.T.A图谱的基线与沿曲线两侧最大斜率的切线间的交点来确定。一次析晶温度Tc，为图谱中首次出现放热峰点的温度，它由图1中沿点 C两侧曲线边的最大斜率的切线间的交点来确定。图1钝化封装玻璃粉 D.T.A示意图5.3.3热膨胀系数的测试按GB9622.