SJT 10557.2-1994电解电容器用铝箔晶粒织构测定方法.pdf

L 90SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10557.2--94高压电解电容器用铝箔晶粒织构测量方法Mathod for texture measurementof aluminium foil for high voltage electroytic capacitor1994-08-08发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部发布 中华人民共和国电子行业标准高压电解电容器用铝箔的织构SJ/T 10557. 2--94测量方法Mathod for texture measurementof aluminium foil for high voltage electroytic capacitor主题内容与适用范围本标准规定了高压电解电容器用铝箔的织构测量方法。本标准适用于高压电解电容器用铝箔。2 术语2. 1 织构 Texture多晶材料中晶粒出现的择优取向称之为织构。2.2 反极图 inverse pole figure晶体中某一宏观座标在各结晶方向上投影分布密度表示试样择优取向情况的方法。2.3晶面指数 miller indices晶面在基矢上的截距的倒数比简约为互质整数比，所得的互质整数即为晶面指数，又称密勒指数,用(hkl}表示。3原理晶粒择优取向测定是根据X射线衍射反极图法，测量试样的衍射全谱，量出(hkl)峰的积分强度，并在相同狭缝系统下，测量铝粉(无序试样)各衍射峰的积分强度，求出二试样对应衔射峰强度比，经计算可得出(hkl)晶面在试样表面的占有情况。(hkl)晶体在表面占有率按式(1)计算,ZPhkt - LI(hkyIrhk,](1)h = Z[Ph Ian r(hkL)]式中：Ph—{hkl)晶面多重因子的权重系数;IRhiu)——无序试样(hkl)衍射峰的积分强度;I(hkr)一铝箔(hkl)衍射峰的积分强度。(hkl)晶面族在表面的占有率按式(4)计算: (2)hk = (thu - Phl*1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1 SJ/T 10557. 2--94ptPrl =(3)ZPhkl式中;Phk-一多重因子。假设 ZPhl1,因而可得,Ph! - [I(tb)/Irthk],]Dnh =(4)Z[Ph .Tab)/Irrhkl,]4 仪器采用X射线粉末衍射仪，测角仪的精度为30,带有样品旋转装置及石墨单色器。5 测量程序5.1样品的制备与安装铝箔经平整处理并用无水乙醇擦洗干净，装入样品架，并使其表面与样品架表面齐平。5.2 测量条件铜靶，大狭缝系统：发散狭缝(DS)=2°,防散狭缝(SS)一2°,接收狭缝(RS)=0.3mm。石墨单色器，闪烁计数管，样品架以77r/min旋转，扫描速度4°/min。5.3 衔射峰积分强度的测定和计算。从衔射图中扣除背底，由衍射峰形面积求出积分强度，如图1所示。在自动衔射仪中，当选择好某一衍射峰的起点和终点，计算机可以自动完成扣除背底和积分强度的计算。5.4织构的计算按(4)式进行计算6 测量误差6.1 强度统计误差衍射图采用数率仪连续扫描，其强度的相对标准偏差按式(5)计算：(%) = (/P) × 100 = (V2tP) × 100..(5)式中:P—计数率;一数率仪的时间常数。T-采用较高计数率，置信度较高。6.2织构测量误差织构测量误差按式(9)计算：Phkt · I (ntn)假设，Ahk.(6)Ir(hki)Ank!hk!(7)ZAnki式(7)微分，可得：2 SJ/T 10557.2—9440ZAAn!AAhk!(8)nAhk!ZAhZAAhh!AAhh!由于ZAnkiAhkl所以，4QAAt!Al (hkl)AI R(at)(9)22 nArtI (hkl)Tr(hk)式中,AI/I 主要由强度的相对标准偏差决定。泰42:812日(度)‘图1附加说明：本标准由电子工业部标准化研究所归口本标准由电子工业部第四十六研究所负贵起草。本标准主要起草人：张世。 6-250 /fs中华人民共和国标准电子行业高压电解电容器用铝箔的织构测量方法SJ/T 10557.2—94*电子工业部标准化研究所出版河北省清河县印刷广 印电子工业部标准化研究所发行版权专用 不得翻印+开本：787×10921/16印张：3/16字数：4.5千字1995 年 5 月第一版 1995 年 5 月第一次印尉