SJ 10705-1996半导体器件键合丝表面质量检验方法.pdf

L. 90备案号：88—1997SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10705—1996半导体器件键合丝表面质量检验方法Standard practice for inspection of surfacequality of semiconductor lead -- bonding wire1996-07-22发布1996-11-01实施中华人民共和国电子工业部发布 目次(1)范围1(1)2定义(2)3.方法提要(2)仪器4+ +(2)样品s.(2)检验步骤6(2)7检验报告(4)附录A（标准的附录）丝的典型缺陷和无缺陷表面的体视显微镜照片(6)附录B(标准的附录)丝的典型缺陷和无缺陷表面的扫描电子显微镜照片 前言半导体器件用键合丝是经熔铸、加工、热处理和检验等工序制成的金属或合金细丝。本标准规定的键合丝表面质量检验方法包括体视显微镜法和扫描电镜法。本标准中的体视显微镜检验方法参照ASTMF584~87(1993年再次确认）制定，个别参数根据我国实际情况作了变动。为了更准确地判断表面缺陷的性质，增加了扫描电子显微镜/X射线能谱仪检验方法，供必要时采用。本标准从1997年11月1日起实施。本标准的附录A、附录B都是标准的附录。本标准由电子工业部标准化研究所提出并归口。本标准起草单位：电子工业部第四十六研究所。本标准主要起草人：齐芸馨、姜春香、段曙光。 中华人民共和国电子行业标准半导体器件键合丝表面质量检验方法SJ/T 10705 - 1996Standard practice for inspection of surfacequality of semiconductor lead-bonding wire1范围本标准规定了半导体器件键合丝表面质量检验方法。本标准适用于各种键合丝表面质量的检验。2 定义本标准采用下列定义。2.1表面沾污surface contamination由外来物质对丝表面造成的污染。2.1.1 指纹 finger-mark由于手触摸而附着在丝表面的沾污。2.1.2颗粒物particulate matter附着在丝表面的颗粒状固体。2.1.3液体残迹liquidresidues残留在丝表面的润滑剂等痕迹。2.2机械损伤mechanicaldamage外力引起的丝表面的损伤。2.2.1刮伤tear丝表面的尖锐缺口。2.2.2刻痕nick丝表面短而窄的压入沟纹2.2.3划痕scrach沿着丝长度方向的长条沟纹2.2.4 凹坑 dent丝表面圆滑的压痕。2.2.5抖动特征chattermarks丝缠绕时抖动形成的竹节状特征。2.3夹杂inclusion丝基体中的夹杂物在丝表面的露头。当夹杂物脱落时形成夹杂物坑。中华人民共和国电子工业部1996-07-22批准1996-11-01实施1 S.J/T 10705--19963方法提要3.1将缠绕有细丝的线轴安装在夹鞋上、使该线轴可绕其自射轴线旋转，将夹具置于体视显微镜载物台上。光线以45°角六射照亮丝面。移动夹具与物镜的相对位置，使显微镜视场中看清线轴上部最亮区域谢近的半暗区域中的线圈。3.2缓慢旋转线轴，并移动夹具通过显微镜视场，在半暗照明下检查线轴上全部外露的丝表面..4仪器4.1体视显微镜：物镜放大倍数在1～7X范围内可调。目镜放大倍数为10X。4.2光源：漫射的25W1划4.3线轴来具：要求火其能将线轴水平固定，并能绕线轴的轴线旋转3604.4扫描电子战微镜和X射线能谱仪。4.5清洁间或「作台，其清净度应达到千级或更高。5样品5.1本方法中的体视显微镜检验取整轴样品。5.2当必须采用扫描电了显微镜检验时，从整辅样品上截取单丝。5.3样品应具有代表性6检验步骤6.1在清洁间或1作台上，将被测线轴安装在夹具上。6.2置夹具于适当位置，使线轴处于体视显微镜视场中。6.3确定光源位置，使：n）入射角与水平面约量45°照射于线轴表面：b）光源与线轴的轴线在同·垂直平面内；c）光源与体视显微镜视场线轴上表面的距离为18cm，6.4将体视显微镜放大倍数调节为40X。必要时，也可高于或低于此放大倍数，以便对特殊区域进行更好的观察，但放大倍数不能高到使景深小于丝直径的二分之一。6.5调节线轴位置和体视品微镜焦距，使位于线轴上部最亮区附近半暗区中的丝圈最清晰。6.6检验从线轴左边或右边开始均可。，准观察半暗区中的丝圈的同时，缓慢使线轴绕其自身轴线旋转360°，记录表面存在的缺陷，并与附录A（标准的附录)进行对比。6.7沿线轴轴线遥步将线轴移动-个视场宽度的距离，重复8.6。6.8当丝表面缺陷的性质在体视显微镜下无汰确定时，可从线轴相应部位取样，用扫描电子显微镜观察。用扫描电予显微镜观察时，建议其参数为：加速电压20kV，放大倍数1000X。必要时，也可高十或低于此放大倍