硼掺杂选择性发射极及其制备方法、TOPCon电池.pdfVIP

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2023-08-09 发布于北京
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硼掺杂选择性发射极及其制备方法、TOPCon电池.pdf

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本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法、TOPCon电池，制备方法包括如下步骤：对清洗制绒后的硅片进行硼扩散，再进行激光局部重掺杂，最后对硅片进行修复得到硼掺杂选择性发射极，硼扩散的步骤包括对硅片表面进行第一次氧化形成氧化硅层，再进行预沉积，升温后驱入推进，再进行第二次氧化，最后降温出炉；第二次氧化步骤的温度低于驱入推进步骤的温度。本发明的硼掺杂选择性发射极的制备方法，通过在硼扩散步骤中降低第二次氧化的温度，实现了硅片表面具备高的硼掺杂浓度的同时，硼硅玻璃层的厚度较薄，克服了由于硼原子的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116565064 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310254763.8 (22)申请日 2023.03.16 (71)申请人韩华新能源（启东）有限公司地址

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