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本发明涉及纳米材料原位合成及纺织物改性技术领域,具体涉及一种基于ZIF‑67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布及其制备方法和应用。该制备方法在棉布上原位合成ZIF‑67纳米颗粒,得到基于ZIF‑67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布。本发明所提供的制备方法的优点在于工艺简单、生产成本低廉;所制备得到的改性棉布在近红外光(NearInfrared,NIR)照射下温度30s内可达120℃,并在NIR照射3min后杀灭表面99.99%的耐药细菌。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116556069 A
(43)申请公布日 2023.08.08
(21)申请号 202310255055.6
(22)申请日 2023.03.16
(71)申请人 武汉工程大学
地址 430200
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