SJT 11394-2009半导体发光二极管测试方法.pdf

ICS 31. 260L45备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11394—2009代替SJ/T 2355.1～2355.7—1983半导体发光二极管测试方法Measure methods of semiconductor light emitting diodes2009-11-17 发布2010-01-01 实施中华人民共和国工业和信息化部发布 113942009SJ/1前言1 范围.业业2规范性引用文件..3术语、定义和符号4般要求.4.1试验条件4.2测量条件(允许偏差)4.3测量设备..”5测试方法.5..．测试方法分类.5.21000类电特性测试方法光特性测量方法.5.3 2000 类光电特性测量方法，5.4 3000 类颜色特性测量方法5.5 4000类热学特性测量方法5.6 5000类静电放电敏感性测试和分类5.76000 类车 SJ/T 11394—2009ini代替SJ/T2355.1～2355.7—1983《半导体发光器件测试方法》系列标准，与SJ/T2355-1983本标准代相比主要变化如下:T1增加了半导体发光二极管的色度学参数、热学参数和静电放电敏感性的测试方法；采用国际照明委员会CIE127-1997《技术报告LED的测量》中建立的平均LED强度的概念和测量规范来替代原先建立在点光源基础上的发光强度测量方法；鉴于可见光和红外发射二极管、紫外发射一极管的测试原理相同，只是测试用探测器光谱范围不同，因此，红外发射二极管和紫外发射二极管的相关测试可以参考本标准。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本标准起草单位：中国光学光电子行业协会光电器件分会。490 890981::本标准主要起草人：鲍超。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：SJ/T 2355. 1—1983:SJ/T 2355. 2-1983:SJ/T 2355. 3-1983-SJ/T 2355. 41983:-SJ/T/2355.5-1983-SJ/T2355: 6--1983:ST/T 2355. 7-1983. SJ/T11394--2009半导体发光二极管测试方法.-- ---范围1热学参数本标准规定了半导体发光二极管（以下简称器件）的辐射度学、光度学、色度学电学、专-以及电磁兼容性的测试方法。二极管、红外发射二极管、半导体发光本标准适用于可见光、白光半导体发光三极管。紫外发射件和芯片的测试可参考执行。2规范性引用文件t下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后的1i1i单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否福可使用这些文件的必威体育精装版版本。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本适用手本标准！, :T:.GB/T 3977—2001颜色的表宗方法（CIE No.15.2—-1986，MOD）0GB/T 4365—2003电工术语：电磁兼容（IEC60050(161)：1990，IDT):HGB/T5698-12001颜色术语GB/T 5702--2003光源显色性评价方法山NEQ)GB/T7921--1997均匀色空间和色差公式（CIENo15.2-—1986,照明光源颜色的测量方法GB/T 7922--2003GB/T114992001半导体分立器件文字符号红EC6074第5部分：光电子器件GB/T 15651--1995:“半导体器件“分立器件和集成电路1992, IDT)E技术报告LED测量CIE 127: 1997ANSI/ESD STM 5.1:2001静电放电敏感性试验二人体模式静电放电敏感性试验机器模式ANSI/ESD STM 5.2:19993、.术语、定义和符号茶GB/T4365、GB/T5698、GB/T11499、GB/T15651确立的以及下列术语、定义和符号适用于本标3.1辐射能 radiant energyQe以辐射形式发射、传播或接收的能量；单位为J（焦耳）3.2光量quantity of.light---= - 光量luminous TenergyQw光源辐射能中能够为人眼视觉系统所感受到的那部分能量大小的量度，即光通量和光照时间的乘积，单位为1ms（流明秒）。.3.3平均LED强度averaged LED intensity: SJ/T 11394-2009在规定的LED和光探测器构成的立体角Q内的照射光通量与立体角2的比值。(1式中-CIE LED平均强度，不同条件用不同符号表示（见注）QLED和光探测器构成的立体角；一立体角.2内的光通量d.注CIE127推荐标准条件A和B分别来测量远场和近场条件下的平均LED强度，可以分别用符号1和I表示；用符号1i。和I分别表示标准条件A测量的平均LED辐射强度