SJT 10060-19912CZ117型硅整流二级管详细规范.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范2CZ117型环境额定硅整流二极管SJ/T 10060-91Detail specification for electronic componentsAmbient--rated silicon rectifier diode for type 2Cz117本标准适用于2CZ117型环境额定硅整流二极管，它是按照GB6351《100A以下环境和管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范》标准制订的，符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》1类的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施1 SJ/T 10060-91中华人民共和国机械电子工业部评定器质量的根据：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》;GB12560《半导体器件分SJ/T 10060-91立器件分规范》。2CZ117型硅整流二极管详细规范订货资料：见本规范第7章。1机械说明2简略说明：环境额定整流二极管半导体材料：硅封装：玻璃钝化(非空腔)封装。应用：在电子设备中作整流用。3质量评定类别：1类参考数据：尺寸符minnommaxVRWMVFMIr(AV)粤(V)(A)(V)sb21.721.42$D3.575. 72100~40051.65G4.107.62L22.8633.00Li1.50L216.00 SJ/T 10060-914极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用数值条文号名称符号单位最小值最大值c4.1工作环境温度Tamb551404. 2Tstg℃贮存温度 651504. 3℃有效结温T(vi)1504. 4电压4.4.1VRRM反向重复峰值电压V2CZ 117 C100V2002CZ117DV2CZ117E300v2CZ117F4004.4.2反向工作峰值电压VRWMV2CZ117C100V2002CZ117 DV2CZ117E300V4002CZ117F4.4.3VRSM反向不重复峰值电压v1402CZ 117 CV2702CZ 117 Dv2CZ117E400v2CZ117F5404. 5电流4. 5.1A在规定的转折点温度Tbreak下的平均正向电流IF(AV)5在单相电路中，电阻性负载的条件下，正弦波的导通角180°时105A4.5.5正向（不重复）浪涌电流I psM在最大平均正向电流下连续工作之后加的正弦半波（50Hz10ms）电流的最大值。不加反向电压。3 SJ/T 10060-915电特性：检验要求见本规范第8章。数值特性和条件试验条文号符号单位除非另有规定Tamb=25℃分组最小值最大值15. 1正向电压5.1.1在峰值电流为元倍额定最大平均正向电流VFM1.65A2bIFAv)时的电压最大值（元取3）。5. 2反向电流在额定电压Vm下的反向峰值电流IRm的最大值。5. 2. 1在Tamb=25℃，无正向耗散时。IRMI10A2bμA5. 2. 2在Tamb=140℃，无正向耗散时。IRM?100μAC2b5.5热阻。c/wR(th)jia246 标志6.1管体上的标志：在管体负极端标-一色环，表示极性及电压分档；或打上型号标明极性。色环的颜色表示电压档次，对应关系如下：cDEF分档标志棕颜色红橙黄电压(V)1002003004006.2包装盒（箱）上的标志6.2.1器件名称、型号、质量评定类别。6.2.2制造厂名称和商标。6.2.3检验批识别代码。6.2.4其它。7订货资料7.1产品名称、型号、质量评定类别。7.2订货数量。7.3产品详细规范号。7.4 其它。8试验条件和检验要求在本章中，除非另有规定，引用的条文号应对应于GB4589.1的条文号，测试方法引自GB4023《半导体分立器件第2部分整流二极管》。 SJ/T 10060-91A组-逐批所有试验都是非破坏性的（3.6.6)）检验要求条件符号限检验或试验引用标推除非另有规定极单位LTPDTamb=25℃最小值最大值A1分组5外部目检4. 2.1A2a 分组极性颠倒0.7VFMVr16. 5不工作器件GB 4023IrM=15AV或N--1.2.3GB 4023Ix1000IRMIVR=VxRMμA（正弦半波50Hz）N-1.4.3A2b分组3正向峰值电压VFMGB 4023AN1.2.3IFM = 15A1. 6510反向峰值电流IRM1GB 4023Vr=-VRMμAN--1.4.3（正弦半波50Hz）B组—逐批只有标明(D)的试验是破坏性的（3.6.6）检验要求条件符号检验或试验引用标准除非另有规定极限单位LTPDTamb = 25 ℃最小值最大值B1分组15尺寸$D.G4.2.2B3分组15引线弯曲(D)G