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本发明公开一种高密度trench型MOSFET的制造方法,属于半导体功率器件领域。在沟槽前先实现阱区注入,沟槽刻蚀的硬掩蔽层采用外延硅‑氧化硅‑氮化硅结构,此膜层结构一直保留至多晶刻蚀;多晶刻蚀后对硬掩膜层中第二氧化硅层和第一氮化硅层进行SPACER刻蚀处理,在多晶两侧形成SPACER侧墙;介质孔腐蚀后,在孔打开区域形成氮化硅硬掩蔽层,实现硅孔自对准腐蚀,保证硅孔始终处于沟槽与沟槽之间的中心位置。本发明通过优化工艺步骤和工艺流程加工顺序,不需要增加额外的光刻层次,在工艺难度和制造成本增加有限的情
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116564821 A
(43)申请公布日 2023.08.08
(21)申请号 202310582828.1
(22)申请日 2023.05.23
(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十八研
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