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本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得位于沟道部中不同层的纳米结构两侧的轻掺杂外延部内的杂质掺杂浓度均同时达到目标范围，有效抑制环栅晶体管的热载流子效应，利于提升环栅晶体管的工作性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构包括源外延部、漏外延部、沟道部和轻掺杂外延部。沟道部和轻掺杂外延部均位于源外延部和漏外延部之间，沟道部沿长度方向的两端通过轻掺杂外延部分别与源外延部和漏外延部连接。轻掺杂外延部的导电类型分别与源外延部和漏外延部的导电类型相同。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116565001 A
(43)申请公布日 2023.08.08
(21)申请号 202310622741.2
(22)申请日 2023.05.29
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 1
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