SJ_T 2658.15-2016半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻.pdf

ICS 31.260L 53SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T2658.15—2016半导体红外发射二极管测量方法第15部分：热阻Measuring method for semiconductor infrared-emitting diodePart 15: Thermal resistance2016-06-01实施2016-01-15发布发布中华人民共和国工业和信息化部S. SJ/T 2658.15—2016前創言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下：-第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；ANDINFORMATION第5部分：串联电阻IRY第7部分：射绳第8部分房第9部分：辐射强度家间布和度角；TECHNOLOG第10调制带部分第向应时第部峰值发宽第辐射功部分度系数第邓分结温；热阻；第部分部光电转换第163的第15部分。-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的规定编写。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。S本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。2D化部电子工业标准化研本部分起草单位：业和信息数英。本部分主要起草人：张戈+ 3 SJ/T2658.15—2016半导体红外发射二极管测量方法第15部分：热阻1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）热阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.14半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温SJ/T11394—20099半导体发光二极管测试方法3术语和定义SJ/T11394—2009界定的术语和定义适用于本文件。4一般要求4测量热阻总的要求应符合SJ/T2658.1。5测量方法5.1.1测量原理图热阻的测量原理图见图1。本方法通过对被测器件施加不同电流，测量结温增量与通道耗散功率的比值，从而确定热阻。1 SJ/T 2658.15—2016说明：DUT-被测器件；DINFORMATIONZAND电流源；GiINDUSTRY电流源；G2Mv电压测量装热阻测量原理图00TECHNG5.2测量步骤列步骤选热阻的测连接量系统中测量步骤的~c测量VFi0按图楼：32658人b)按公RAISI和公式计算被测器一.(1)AVOLOG)X(2)RPe式中：VVFi（施加测量电流时的结电压，V；经过加热电Vff充作用后再次施加测量电流时的结电D△VF施加不结温的增量流后2T器件的结温，ANDTx器件参考点温度，通道上耗散的功率，W；PHK低正向电流时，PN结的温升与正向电压增量的相关系数，℃/mV；热阻，其中下标X的意义由组值和环境条件确定。Rth(J-X)注1：器件热学测量的电试验法中最重要的问题之一是如何实现快速和准确测量第二个正向电压VFf，在被测器件撤除所加电流的瞬时，结温立即下降，但是电压测量和读数需要一定时间。因此所获得的测量数据有误差，通常要做出被测器件的冷却曲线从而对测量数据进行修正。注2:测量结-管壳热阻Rth(J-C)时，要使最大热流通过管壳顶面，其他任何一个面流过最小热流，这可以通过把一个“无穷大”热沉和管壳顶面热接触来实现。“无穷大”热沉表示它是一个在测量过程中没有温度变化的等热表面，在大多数情况下是难以实现的，实用中可以用内部嵌有热电偶的大块无氧铜来替代，把铜块的温升计入测量结果。在器件芯片／管壳／试验板／环境温度组合产生热平衡后，监视结表面温度（T)和管壳表面温度2 SJ/T 2658.15—2016(Tc），直到达到一种稳态条件。注3:测量结-环境热阻Rt(J-A)时，使用一个密闭的立方体容器，推荐使用容积为(0.3048×0.3048×0.3048）m²的容器。3规定条件5. 3有关标准采用本方法时，应规定以下条件：a)环境或管壳温度；b)测量电流和加热电流。3 中华人民共和国电子行业标准半导体红外发射二极管测量方法第15部分：热阻SJ/T2658.15—2016*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*-开本：880×12301/16印张：字数：12千字22016年6月第一版2016年6月第一次印刷印数：200册定价：20元版权专有不得翻印举报电话：（010