SJ_T 11489-2015低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法.pdf

ICS 29. 049H 83Su备案号：50546-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11489--2015低位错密度磷化钢抛光片蚀坑密度的测量方法Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density indiumphosphide wafers2015－10－01实施2015-04-30发布发布SJ中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 11489--2015前 言本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。本标准主要起草人：章安辉、何秀坤、刘兵、李翔、付雪涛。3-紫茶?.菜tt:8- -+-- --=二-- SJ/T 11489—2015低位错密度磷化钢抛光片蚀坑密度的测量方法1范围本标准规定了低位错密度磷化铟（InP）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。本标准适用于直径2英寸且EPD小于5000/cm²的圆形InP晶片的EPD的测量。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语3‧术语和定义GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。4　方法原理对磷化铟抛光片进行磷酸(H3PO4)和氢溴酸(HBr)混合液腐蚀后，用显微镜观察并记录腐蚀坑数量。5仪器设备显微镜：测量视场面积应为0.01cm²或更大。6　化学试剂6.1磷酸（p=1.685g/mL）,浓度≥85%，分析纯。6.2氢溴酸（p=1.38g/mL），分析纯。7样品制备7.1确定晶锭的晶向使得样品前表面的法线方向与100平行，偏差小于5°，然后再切片。7.2抛光晶片，使之呈镜面，然后清洗、干燥。8测量步骤8.1将H3PO4和 HBr混合于烧杯中，比例（体积比）为 HsPO4：HBr-2：1。1 SJ/T 11489—20158.2将晶片浸泡在混酸中，室温放置 3 min。8.3取出晶片，用去离子水冲洗干净然后干燥。8.4计数位置示于图1。计数点位于每个网格的中心。网格边长为5mm，计数点总数为69个，第35点位于晶片中心。8.5计数并记录其中心在测量视场内的腐蚀坑个数。如果腐蚀坑太密集而难以计数，那么提高放大倍数。然后，计数腐蚀坑数并记录结果以及显微镜放大倍数。8.6对所有其它计数点重复8.5所述操作，即第2 点到第69 点。5464686g66602图1直径2.英寸晶片的计数位置o9 计算每个测量视场的EPD等于该视场腐蚀坑数除以视场面积，如公式(1)所示：EPD-W/S.(1)式中：W一一腐蚀坑数，个;视场面积，cm²。S.示例：某测量视场尺寸是0.1cm×0.1cm，那么其视场面积就是0.01cm²。10报告报告EPD的测试结果可有几种形式，例如，所有计数点的平均EPD、小于某一指定值的面积上的EPD平均值、或整个晶片的EPD的分布图等等。应由供需双方共同商定一个适当的报告形式。2 S17-68111/rs中华人民共和国电子行业标准低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法SJ/T 11489-—2015*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010）641026122传真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*1 开本：880×12301/16印张:字数：12千字22015年8月第一版2015年8月第一次印刷印数：200册版权专有不得翻印举报电话：（010