SJT 10584-1994微电子学光掩蔽技术术语.pdf

L 90SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10584-94微电子学光掩蔽技术术语Terms of photomasking technologyfor microelectronics1994-12-01实施1994-08-08发布中华人民共和国电子工业部•发布 目次1.图形术语(1)2.感光材料术语(3)3.掩模版术语(5)4.曝光和蚀刻术语(7)5.电子束制版术语.(10).*6.掩模质量参数术语..(13)7．掩模设备术语…(18)8.附录A汉语索引（补充件）..(20)α.附录B英文索引（补充件）(24) 中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10584-94微电子学光掩蔽技术术语Terms of photomaskingtechnology for microelectronics本标准规定了微电子学光掩蔽技术的有关术语。本标准适用于微电子学光掩蔽技术的科研、生产、教学、贸易和技术交流。1图形术语1.1底图 master drawing用来制作原图的原始图样。1.2原图artwork用绘制方法，或在玻璃板和在薄膜基片上，用切割、剥离掩蔽膜的方法而形成的图形，经接触复印或将其缩小并分步重复照相后，可制成光掩模或中间掩模。1.3布局图layout以适当位置排列出的单个器件所要求的全部几何图形组成的放大图样，1.4组合图composite drawing包含单个器件要求的所有几何图形，并以适当方位排列的放大图样。用作红膜人工切割的准则或计算机辅助设计(参见CAD)的数字化准则。在初缩版产生的各个阶段绘制的一系列彩色图，也可认为是组合图。组合图适用于检查设计误差。注：器件包括分立器件和集成电路。同义词：原图；设计图（工程图）。1.5图象image布图中呈现的任何单元的几何图形。（1)作为底图或布图一部分的绘制图形。（2)投影在屏幕上或目视的光学图象，通常经过按比例的放大或缩小。（3)被氧化的硅片上刻蚀出的二氧化硅图（含其它介质层）。（4)光掩模上照相底片或千板乳胶层中的图象。（5)涂在基片上的光致抗蚀剂层经曝光和显影后生成的图形。同义词：图形。1.6功能图形 functional pattern使用光致抗蚀剂涂层的特定制造工序所要求的全体同类图象。如：在蚀刻集成电路的基区氧化层的典型工艺中，功能图形包括呈现在此工序中集成电路布局图上的所有基区扩散电阻窗口、电极窗口、基区测试图以及对准标记。1.7 测试图形 test pattern1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1 SJ/T 10584—94在光掩模上用于对准、测试或两者兼用的图形。1.8阵列array作为一个整体呈现在基片上或由分步重复在照相材料上所产生的全部同类功能图形。1.9行row沿光掩模X轴排列的功能图形族。1.10 列 column沿光掩模Y轴排列的功能图形族。1.11 基元 element组成光掩模阵列的任一构件。基元可构成用以制造单个集成电路的功能层，或构成供测试用的图形（可代替芯片、管芯）。1.12 单元 single segment利用缩图法从原图得到的一个单一功能图形。单一功能图形可以是一个器件或是有一定电学功能的模块。将其分步重复可形成功能图形阵列。1.13 功能基元 functional element构成器件并对该器件执行电学功能所不可缺少的相互邻接的任一构件。例如：扩散区、沟道、栅、电极接触孔等等。不包括划片线、套准标记、标签等。1.14场field指在器件制造中限定图形不受影响的背景区域。对于用来制备金属互连线的掩模来说，代表无金属的区域即为“场”。图象的极性以场的外观状态命名，即明场、暗场（不透明场）。给场下定义要谨慎，因为某些器件中“场”并不总是代表较大的区域，其整体外观容易搞错。某些器件可能有埋层扩散，如覆盖面积占80%，剩下的20%即“场”。在场区面积小于器件面积50%时，在很多情况下难以区别。这时要确定场，就要根据制造工艺的有关知识。反义词：有源区；几何图形；沟道；扩散区。1.15 间隙 space图形几何结构之间的区域。也称邻近图形间的场。此间隙常规定为极限尺寸。1.16 暗区 dark area掩模中不透光的区域。1.17 透光区 transparent area掩模中透光的区域。1.18补偿线serif原图中用于防止线端倒角的补偿图形。1.19倒角 fillet在两线条交叉部或线端部因象差形成圆角。1.20图形间隔clearance相邻图形间边缘的最短距离。1.21 交送区 overlap为保证在分步重复中的图形连续性，原图上超出芯片实际边缘的附加区域。1.22 X轴 X axis平面笛卡尔坐标系的水平轴或自左向右的轴。经分步重复将沿此轴布局为功能图形的121 SJ/T 10584—