SJ_T 11495-2015硅中间隙氧的转换因子指南.pdf

ICS 29. 045H82Su备案号：50552-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11495—2015硅中间隙氧的转换因子指南Guide to conversion factors for interstitial oxygen in silicon2015～10-01实施2015～04-30 发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部2015 SJ/T 11495--2015言前本标准按照GB/T1.1--2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。李翔、付雪涛。本标准主要起草人：李静、何秀坤、刘兵、-*:-=-3..-.:-3:=3-.~. SJ/T 11495—2015硅中间隙氧的转换因子指南范围1本标准规定了硅中间隙氧的转换因子指南。本标准适用于在室温下测试电阻率大于0.12·cm的n型硅单晶和电阻率大于0.52·cm的p型硅单晶中间隙氧含量。规范性引用文件2下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1557—2006硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法3各标准之间进行换算的转换因子3.1表1给出使用不同版本的校正系数计算硅中间隙氧含量数值。目前，氧含量用两种单位表示，分别为 ppma 或 at·cm表示。表1校正系数及计算结果采用atcm²2采用ppma单位标准名称的校正系数单位的校正系数4.902.45 × 1017ASTM F 121:19833.05 × 10176.10JEIDA 61:19833.14 × 10176.28GB/T 1557--20063.14 × 10176.28DIN 50438-1或IOC-19884.815 × 10179.63ASTM F 121:1979注：间隙氧含量由at.cm换算到ppma时，除以5x10l°[(at.cm)/ppma ]。表2给出氧含量从一种标准到另一种标准之间进行换算的转换因子。3. 2表2标准之间进行换算的转换因子DIN 50438-1至ASTM F 121:1979GB/T 1557-2006ASTM F 121:1983JEIDA 61:1983或IOC-1988转换自1.2821.9651.2821.245ASTM F 121:198311.0301.57911.0300.803JEIDA 61:19831.533\10.9710.780GB/T 1557--20061 SJ/T 11495—2015表2(续)DIN 50438-1或1.5330.97110.7801IOC-19880.5090.6330.6520.6521ASTM F 121:19793.3计算实例N[O]ASTM=-N[O]1oc-1988×1.533.(1)式中:由“ASTMF121:1979标准”校正系数计算的间隙氧含量（at.cm3）；N[O]ASTMN[O]ioc-1988—由“IOC-1988”校正系数计算的间隙氧含量（at.cm3）楼--....--.-.-....2.--*--.2 510-561/rs中华人民共和国子行业标准电硅中间隙氧的转换因子指南SJ/T 11495--2015*中国电子技术标准化研究院完编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010）641026122传真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*1开本：880×12301/16印张:7字数：12千字22015年8月第一版2015年8月第一次印刷印数：200册版权专有不得翻印举报电话：（010